Известные способы определения термоэлектрической эффективности полупроводников раздельным измерением параметров а, А, и а либо но методу Хармана сопряжены с большой затратой времени и требуют строгого соблюдения условий эксперимента.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что последовательно измеряют теплопроводность образца, подвергнутого воздействию теплового потока, при нулевом токе и при коротком замыкании образца, причем о величине термоэлектрической эффективности судят по разности полученных значений теплопроводцости, отнесенной к величине теплопроводности, измеренной при нулевом токе.
Таким образом, термоэлектрическую эффективность определяют по измерению одного физического парамегра и на одной экспериментальной установке, что упрощает процесс измерения.
Величину теплопроводности узнают любым из известных способов. Теплопроводность К, измеренная в условиях тока короткого замыкания, всегда больше теплопроводности Ко,
которую измеряют при нулевом токе. Физически это обусловлено появлением дополнительного теплового потока вследствие теплоты Пельтье на торцах образца, возникающей при прохождении через последний тока короткого замыкания.
Термоэлектрическую эффективность Z определяют по следующей формуле:
Z - Г
10
град.
Предмет изобретения
Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения, измеряют теплопроводность образца, подвергнутого воздействию теплового
потока при нулевом токе и при коротком замыкании образца, причем о величине термоэлектрической эффективности судят по разности полученных значений теплопроводности, отнесенной к величине теплопроводности,
измеренной при нулевом токе.
