Способ подготовки под диффузионную сварку алмазных кристаллов Советский патент 1976 года по МПК B23K31/00 

Описание патента на изобретение SU198893A1

В известном способе подготовки материалов под диффузионную сварку производят металлизацию соединяемых поверхностей. При этом нельзя получить качественное сварное соединение при сварке алмазных кристаллов.

Прелагаемый способ заключается в том, что после металлизации удаляют- наружный слой чистого металла, получая на поверхностях алмазнометаллический слой.

На обезжиренные грани исходных алмазных частиц наносят пасту (например, кисточкой), состоЯ1цую из окиси металла (например, платины), растертой на отстоявшемся и осветленном растворе канифоли в скипидаре (из расчета приблизительно 200 т канифоли на 1 л скипидара) до получения совершенно однородной смеси, консистенцией напоминающей густую сметану. Пасту наносят на грани исходных алмазных частиц до тех пор, пока эти грани не будут равномерно покрыты, как бы окрашены тонким слоем массы. Исходные алмазные кристаллы (частицы) с нанесенным на их обезжиренные параллельные грани слоем окиси металла насыпают в железные ванночки и ставят в сушильный шкаф для просутики при температуре приблизительно 90 - 100° С, после чего в этих же

ванночках их переносят в печь с восстановительной атмосферой. При нагреве в печи в первую очередь выделяются летучие компоненты, т.е. пары скипидара и канифоли, вслед за чем ;начинается процесс восстановления металла на гранях исходных кристаллов (частиц).

При нагреве исходньгх алмазны.х кристаллов с нанесенным на их обезжиренные параллельные гра-. ни слоем окиси металла в печи с восстановительной атмосферой происходят два процесса: процесс восстановления окиси металла до металла и процесс диффузии, т.е. проникновения восстановленных часгиц металла в тело исходного алмазного кристалла, с которым они непосредственно со1 рикасаются. Диффузия восстановленных частиц металла в тело исходного алмазного кристалла объясниется повышенной активностью вешеств (в данном случае металлов) в момент их образования.

Исходные алмазные частицы с нанесенным на соответствующие грани слоем металла нагревают в печи с восстановительной атмосферою в течение 6-7 час при 900-950°С , после чего охлаждают и вынимают из печи ванночки с исход1и 1ми алмазными кристаллами (частицами). Эти кристаллы со стороны металлизируемых граней имеют три слоя:

первьй - наружный в виде металдаческой пленки, второй - алмаз с продиффундированными в него частиизми металла (например, платины) и третий алмаз. Так как между этими слоями не существует резкой границы, то все три слоя вместе образуют монолит.

Подобные монолиты при металлизации алмазов могут быть получены не только способом восстановления окисных соединений различных металлов, но и некоторыми другими способами, связанными с образованием металлов при металлизации граней исходных (свариваемых) алмазных частиц, т.е. способами, связанными с повышенной активностью веществ (в частности, металлов) в момент их образования. К числу таких способов можно отнести карбонильный способ металлизации алмазов путем разложения галлоидных или низколетучих металлосодержащих соединений ( высокочастотной ионизацией паров металлосодержащих саехшнений в постоянном злектрическом поле) и др.

Наружный слой (металлическую пленку) снимают с граней исходных алмазных частиц (например, механообработкой или растворением в смеси

кислот), а поверхность второго (алмазнометаллического) слоя (алмаза с продиффундированными в него частицами металла) полируют и обезжиривают, т.е. у исходных алмазных частиц полируют и

обезжиривают грани, по которым намечено соединить зти частицы между собой.

На зтом заканчивается получение полуфабрикатов - исходных алмазных кристаллов (частиц) с заданной кристаллографической ориентацией и

диффузионными алмазно-металлическими слоями на гранях, по которым их намечают сварить в вакууме.

16Формула изобретения

Способ подготовки под диффузионную сварку алмазных кристаллов, при котором производят металлизацию соединяемых поверхностей о т л и20 чающийся .тем, что, с целью повыщения качества сварного соединения, после металлизации удаляют наружный слой чистого металла, получая на поверхностях алмазно-металлический слой.

Похожие патенты SU198893A1

название год авторы номер документа
СОСТАВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАТИНОВОГО ПОКРЫТИЯ 1995
  • Скрюченков Л.М.
  • Суздальцев В.И.
  • Устинов А.Г.
  • Крылов В.П.
  • Дьяченко О.П.
  • Якушкина В.С.
  • Кораблева Е.А.
RU2090649C1
СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА АЛМАЗА С МЕТАЛЛАМИ 2015
  • Шарин Петр Петрович
  • Никитин Геннадий Маркович
  • Лебедев Михаил Петрович
  • Махарова Сусанна Николаевна
  • Гоголев Василий Егорович
  • Атласов Виктор Петрович
RU2611254C1
СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА АЛМАЗА С МЕТАЛЛОМ 2006
  • Бланк Владимир Давыдович
  • Баграмов Рустэм Хамитович
  • Прохоров Вячеслав Максимович
RU2347651C2
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ НА АЛМАЗЫ 1994
  • Беров З.Ж.
  • Карданов А.А.
  • Яхутлов М.М.
RU2090648C1
Электрохимический способ металлизации алмазных частиц 2020
  • Вараксин Александр Владимирович
  • Леонтьев Леопольд Игоревич
  • Лисин Вячеслав Львович
  • Костылев Виктор Алексеевич
  • Петрова Софья Александровна
RU2744087C1
Способ получения композиционной алмазосодержащей матрицы с повышенным алмазоудержанием на основе твердосплавных порошковых смесей 2015
  • Шарин Петр Петрович
  • Никитин Геннадий Маркович
  • Лебедев Михаил Петрович
  • Гоголев Василий Егорович
  • Атласов Виктор Петрович
  • Попов Василий Иванович
RU2607393C1
Состав для получения платинового покрытия на неорганических материалах 2023
  • Юрков Александр Сергеевич
  • Селиванов Илья Алексеевич
RU2807403C1
Способ изготовления алмазного инструмента 2015
  • Журавлев Владимир Васильевич
  • Дудаков Валерий Борисович
  • Полканов Евгений Георгиевич
RU2611633C2
Токопроводящая паста 1991
  • Ежовский Игорь Константинович
  • Зюзикова Галина Михайловна
SU1820947A3
СПОСОБ ОБРАБОТКИ АЛМАЗА 1997
  • Лифшиц С.Х.
  • Шамаев П.П.
  • Григорьев А.П.
  • Ботвин В.В.
  • Григорьева А.С.
  • Сентисов С.Р.
RU2125934C1

Реферат патента 1976 года Способ подготовки под диффузионную сварку алмазных кристаллов

Формула изобретения SU 198 893 A1

SU 198 893 A1

Авторы

Храмов С.П.

Казаков Н.Ф.

Погодин-Алексеев Г.И.

Гаврилов В.М.

Багаев В.П.

Даты

1976-06-05Публикация

1965-01-19Подача