СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ Советский патент 1967 года по МПК G11C11/06 

Известен способ изготовления элементов памяти на ферритовой пластине путем выжигания отверстий в пластине, например, лазерным лучом, с нанесением проводящего слоя.

Описываемый способ отличается тем, что выжигание отверстий ведут в восстановительной газовой среде, что позволяет упростить способ и увеличить плотность элементов памяти в пластине.

На чертеже изображена многоотверстная ферритовая пластина с элементами памяти, полученными описываемым способом.

Ферритовая пластина 1 помещается в восстановительную газовую среду (водород, окись углерода), и затем узким лучом лазера (в зависимости от желаемого диаметра отверстия) в пластине выжигают сквозное отверстие 2. При этом в зоне действия луча лазера температура феррита превосходит его температуру плавления, вследствие чего происходит распад твердого раствора ф:еррита, например, Mg,, Мп Fe2O4 распадается на окислы: MgO МпО, РегОз, МпаОз, Fe204 и частично восстанавливается до металлов: Mg, Мп, Fe.

Таким образом, соосно с отверстием образуется частично восстановленный металлический слой 3 в виде полого цилиндра, имеющий достаточно высокую электропроводность, т. е. нутем одной технологической операции создаются одновременно отверстие и электропроводящий слой (провод). При этом образование проводящего слоя непосредственно в пластине обеспечивает высокую механическую прочность слоя 3.

В зависимости от энергии излучения лазера

и длительности импульса можно изменять толщину проводящего слоя 3.

Пропусканием переменного электрического тока через проводящий слой 3 осуществляют перемагннчивание феррита в области, окружающей проводящий слой.

Предмет изобретения

Способ изготовления элементов памяти на ферритовой пластине путем выжигания отверстий в пластине, например, лазерным лучом, с нанесением проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и увеличения плотности элементов памяти в пластине, выжигание отверстий ведут в восстановительной газовой среде.