УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Советский патент 1968 года по МПК C30B7/10 

В известных установках для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях автоклав, помещенный s полость печи с секционированным нагревателем, установлен в полости печи вертикально и неподвижно.

Отличием описываемой установки является то, что автокав расположен горизонтально на кольцевой подставке, установленной на двух жестко прикрепленных к ней опорах в виде ножевых призм, причем подставка снабжена прикрепленным параллельно оси кольца коромыслом. Такое выполнение установки дает возможность определять непосредственно в процессе выращивания скорость роста кристаллов по величине наклона оси автоклава к горизонтали И регулировать ее, изменяя температурный режим в зонах автоклава.

На фиг. 1 изображена описываемая установка, поперечный разрез; на фиг. 2 - то же, продольный разрез.

Установка включает автоклав 1, помещенный в полость печи 2 с секционированным нагревателем 3, секции 4 которого регулируются раздельно. Автоклав расположен в полости печи с помощью кольцевой подставки 5, подвижно установленной на жестко прикрепленных к ней с помощью осей 6 ножевых призмах 7. Печь неподвижно расположена в

Полости корпуса 8. Ножевые призмы 7 подставки 5 опираются на призмы 9, жестко прикрепленные к корпусу 8. К подставке вне корпуса установки прикреплено параллельно оси кольца коромысло 10, имеющее Отсчетные точки //, соответствующие расположению камер роста и растворения автоклава.

Загруженный автоклав помещают в полость печи и устанавливают на кольцевой подставке 5 таким образом, чтобы отсчетные точки // на коромысле W соответствовали расположению камер роста и растворения автоклава. Так как в начальный период ось автоклава не

совпадает с осью печи (перекристаллизуемое вещество целиком находится в камере растворения), автоклав уравновешивают, перемещая грузы 12 по коромыслу. В процессе выращивания, в связи с переносом вещества из камеры растворения в камеру роста, ось автоклава будет смещаться отиосительно горизонтали. Скорость роста кристалла, соответствующую скорости переноса вещества в автоклаве, можно определить, подвешивая к соответствующей отсчетной точке груз, необходимый для установления прикрепленной к коромыслу стрелки в нулевое положение, при котором ось автоклава горизонтальна. Наблюдение за перемещением стрелки осуВес выросших кристаллов за период времени определяют по формуле

Ркр

т - - Рср

где т-вес выросших кристаллов; mi-вес груза; Ркр-плотность кристаллов; Рср -плотпость среды в нагретом автоклаве.

Точность определения составляет 10-20% и является достаточной для относительной оценки скорости кристаллизации в течение процесса и управления его путем изменения разпости температур между зонами роста и растворения. В установке возможно производить многократную перекристаллизацию вещества

для получения кристаллов с таким же содержанием примесей, как исходный материал, синтез шихты из элементов и осуществлять выращивание кристаллов на затравке с заданной скоростью кристаллизации.

Предмет изобретения

Установка для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях, включающая автоклав, помещенный в полость печи с секционированным нагревателем, отличающаяся тем, что, с целью регулирования скорости роста кристаллов непосредственно в процессе выращивания, автоклав расположен горизонтально

на кольцевой подставке, установленной на двух жестко прикрепленных к ней опорах в виде ножевых призм, причем подставка снабжена прикрепленным параллельно оси кольца коромыслом.

фцг.2