СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАРКАСА ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХМАТРИЦ Советский патент 1969 года по МПК G11C5/04 

Изобретение относится к технологии изготовления оперативных запоминающих устройств электронных вычислительных машин.

Известны способы изготовления каркасов для запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках, основанные на укладывании ,на подложку диэлектрических пленок с размещенными на EVIX управляющими щинами и формообразующих нитей и последующим удалением формообразующих нитей.

Однако такие способы достаточно сложны.

Предложенный способ отличается тем, что диэлектрические пленки огибают вокруг формообразующих нитей и в промежутках между формообразующими нитями скрепляют, например, ультразвуковой сваркой.

Предложенный способ поясняется чертежом.

Па жесткую плоскую подложку 1 наклеивают каким-либо способом систему токопроводящнх щин 2, вытравленную из гибкого фольгированного диэлектрика 3. На диэлектрик 3, расположенный над токопроводящими щинами, помещают прямолинейные цилиндрические формообразующие нити 4 с постоянным щагом. Сверху на нити накладывается диэлектрической частью вниз другая система токопроводящих щин так, чтобы щины верхней части точно совпадали с щинами нижней части. Затем одним из известных способов, например ультразвуковой сваркой, диэлектрические пленки

верхней и нижней частей в промежутках 5 между нитями свариваются без замыкания токопроводящих щин обеих частей. После сварки всех промежутков нити извлекаются. В качестве диэлектрика, из которого вытравливается система токопроводящих щин, может быть использован материал ФДЛ-1 с толщиной фольги 0,035 мм и толщиной диэлектрической пленки 0,02-0,04,мм.

Для сварки можно применять ультразвуковой ппстолет марки УЗП-65.

Использование предлагаемого способа изготовления каркасов для запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках позволяют применять простые приспособления, хорощо отработанные методы сварки диэлектриков, избегать адгезии полимерных материалов с материалом нитей, исключить из технологического процесса разогрев с последующим остыванием и приложение сравнительно высокого давления. Все это позволяет значительно упростить и ускорить изготовление запоминающих матриц.

Предмет изобретения

Ми на них управляющими шинами и формообразующих нитей с Последующим удалением формообразующих нитей, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, диэлектрические пленки огибают вокруг формообразующих нитей и в промежутках между формообразующими нитями скрепляют, например, ультразвуковой сваркой.