Известен способ изготовления матриц магнитных многоотверстных запоминающих элементов для запоминающих устройств, заключающийся в том, что на ферритовой пластине при помощи специального инструмента на ультразвуковом станке сверлят несквозные отверстия. Затем с обратной стороны пластины снимают слой материала шлифовкой до вскрытия глухих отверстий.
В результате этого на пластине получаются все необходимые отверстия. После этого на пластине при помощи фотопечати создаются Заправляющие обмотки в виде печатных проводников, пронизывающих отверстия пластины.
Известный способ изготовления матриц запоминающих элементов на основе многоотBOpiCTflbix ферритавых :пла1сти1Н имеет следующие недостатки: невозможность магнитной изоляЦИИ СаседнИХ элементов яа многоотверстной платине, что затрудяет повышение плотности раЗМещеНИЯ информации я форсировку режима :перема;гничи1вания элементов с целью иовышения быстр01дейст1вия;
трудность получения тонких многоотверстных ферритовых пластин из-за их малой механической прочности; малая толщина пластины необходима для уменьшения индуктивности управляющих проводников матрицы.
Предложенный способ этих недостатков не имеет, и позволяет получить матрицу из магнитно-изолированных друг от друга запоминающих элемеитов в виде тоиких многоотверстных сердечников с печатными управляющими проводниками.
Цель изобретения - повысить плотность размещения информации и быстродействие магнитны.х запоминающих элементов.
Это достигается тем, что в пластине, предназначенной для изготовления матрицы, кроме несквозных отверстий, делают еще пазы. Затем пластину приклеивают к диэлектрической подлолчке той стороной, на которой имеются
отверстия и пазы и нанесены управляющие печатные проводники, после чего шлифуют противоположную сторону пластины до вскрытия пазов и отверстий, в которых находятся концы проводников. Концы проводников замыкают печатными проводниками, образуя управляющие шины, пронизывающие отверстия запоминающего элемента пластины.
На фиг. 1 показана заготовка-пластина из .магнитодиэлектрика с прямоугольной петлей
гистерезиса (ППГ) с несквозными отверстиями и пазами; на фиг. 2 - та же пластина с нанесенными на поверхность печатными проводниками, поверхности; на фиг. 3 - пластина, приклееииая к подложке; на фиг. 4 -
Ьёрхности пластины со вскрытыми отверстиями и пазами; на фиг. 5 - изготовленная матрица.
На пластине 1 нз магнитоднэлектрика с ППГ (например, феррита) делают несквозиые отверстия 2 и пазы 5, имеющие одну и ту же глубину. Отверстия сгруппированы так, как это требуется для элементов, из которых строится матрица. Запоминающий элемепт (или группа элементов) ограничен назами 3. На поверхность нластииы 1 (с той стороны, где находятся отверстия и пазы) наносят печатные управляющие проводники 4. Затем к этой стороне пластины приклеивают диэлектрическую (нанример, керамическую) подложку 5. Склеивание осуществляют известным способом при помощи какого-либо синтетического клея, который при этом заполняет отверстия и пазы. Свободную сторону иластипы щлифуют до тех пор, пока не вскроются отверстия с печатными проводниками в них и пазы между отдельными запоминающими элементами (или группами элементов). Таким образом, магнитодиэлектрическая пластина / оказывается разделенной на отдельные участки 5 с запоминающим элементом (или группой запоминающих элементов) на каждом, причем каждый из них ограничен немагнитным зазором. На отшлифованную поверхность магнитодиэлектрической пластины наносят печатные нроводннки-неремычкн 7, соединяющие те частн ранее нанесенных нроводпиков 4, которые прощлн сквозь пластииу через отверстия, образуя замкнутые щины, необходимые для управления запоминающими элементами полученной матрицы. С концами печатных управляющих проводников соединяют внешние выводы 8 матрицы.
Предмет изобретения
Способ изготовления матриц магнитных миогоотверстных заноминающих элементов с
управляющими проводниками путем выполнения несквозных отверстий в пластине из магнитодиэлектрика с нрямоугольной петлей гистерезиса и шлифовки пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности
размещения информации и увеличения быстродействия матрицы, на пластине выполняют пазы той же глубины, что и отверстия, наносят печатные проводники, прикрепляют пластииу на диэлектрическую подложку, закрывающую пазы и отверстия, шлифуют поверхность пластины до вскрытия отверстий с концами нечатных проводников и наносят печатные проводники, замыкающие эти концы.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления накопителя дляфЕРРиТОВыХ зАпОМиНАющиХ блОКОВ иуСТРОйСТВО для ЕгО ОСущЕСТВлЕНия | 1979 |
|
SU815768A1 |
Способ компоновки печатных проводников с магнитодиэлектрическим покрытием для цепей с трехкратным модальным резервированием | 2022 |
|
RU2798471C1 |
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1971 |
|
SU296150A1 |
ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ | 1970 |
|
SU269989A1 |
Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках | 1980 |
|
SU951387A1 |
Способ изготовления запоминающей матрицы | 1980 |
|
SU896689A1 |
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1966 |
|
SU178178A1 |
Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках | 1980 |
|
SU898500A1 |
Числовой блок для запоминающего устройства | 1975 |
|
SU542242A1 |
МАТРИЦА ПАМЯТИ | 1969 |
|
SU248776A1 |
Фаг. г
Фие.З
-1
273282
Даты
1970-01-01—Публикация