СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ МАГНИТНЫХМАТРИЦ Советский патент 1969 года по МПК G11C11/14 

Предложенный способ может быть применен при изготовлении пленочных магнитных матриц (ПММ) для быстродей.ствуюш,их запоминающих устройств.

Известны способы изготовления ПММ, заключающиеся .в том, что на подложку (основание) осаждается магнитный материал в виде отдельных элементов, на которые наносится система управляющих шин (обмоток). Причем управляющие щины (обмотки) могут быть выполнены либо на гибком .фольгированном диэлектрике, либо (Наносятся непосредственно на матрицу методом вакуумного напыления с последующим фотолитографическим растравливанием лроводникового слоя или иным методом (электронным лучом, лучом лазера, электроэрозионным методом).

Однако при наложении управляющих шин (обмоток) на гибком фольгированном диэлектрике .на матрицу необходимо точно совмещать их с магнитными элементами, но при малых размерах магнитных элементов такая операция трудоемка, а точность совмещения недостаточна.

При нанесении управляющих шин (обмоток) непосредственно на магнитные элементы можно получить только одну систему управляющих шин (например, шин считывания). Получить всю систему управляющих шин (обмоток) считывания, записи и съема вакуумными методами невозможно.

Это обусловлено тем, что для получения малого омического сопротивления управляющих щин (обмоток) необходимо получить проводники шин (обмоток) достаточно большой толщины (до 10-f 15 мкм). В результате проводники образуют перепад по толщине высотой в мкм.

При вакуумном осаладении последующих изоляционных слоев получить надежное сцепление последних с нижележащими на подложке невозможно из-за нанряжений в местах перепадов по высоте.

Согласно предложенному способу, проводящие слои получают путем приклеивания фольги с помощью органически.х лаков (клеев) при нагревании матриц и в присутствии магнитного ПОЛЯ в плоскости подложки.

Это позволяет отказаться от накладного шлейфа на гибком диэлектрическом основании, обеспечивает точность совмещения шин (обмоток) с магнитными элементами и получение всех управляющих ,шин (обмоток) с малым омическим сопротивлением и высокоомным изоляционным слоем (не менее 50 мгом).

Способ поясняется чертел ом, где обозначено: / - подложка, 2 - диэлектрический подслой, 3 - магнитный слой (0,05 мм) и 4 - проводящий слой.

На подлоЖ|Ку (осно.ва,ние) с магнитными элементами, полученными тем ил.и иным методом, .например фотолитографическим травлением или осаждением .в .вакууме через трафарет (маску), наносится слой органического лака или:клея («алример, ,клея БФ-4). Наслои лака (.клея) накладывается заготовка из медной фольги. Подлож.ка с наложенной фольгой помещается иод нресс, где под давлением при температуре, необходимой для полимеризации, происходит склеива.ние в .магнитном поле.

Нрименение магнитного лоля, приложенного в плоскости нодлож.ки При склеивании под давлением, позволяет сохранить магнитные параметры плено:К при нагреве в момент полиМеризации. При этом величина напряженности м.агнитного поля может изменяться от иуля до нескольких десятков эрстед в зависимости от температуры нагрева. Затем -методом фотолитографии (или электронным лучом, лучом лазера и др.) фольга растравливается на шияы (обмотки) той или иной конфигурации. Точность совмещения управляющих щин (обмоток) с магнитными элементами обеспечивает специальное приспособление.

Аналогично могут быть получены все управляющие шины (обмотки) любой Конфигурации, необходимые для работы ННМ -и модулей накопителя в ЗУ.

Предложенный способ обеспечивает получение многослойных матриц с шинами (обмотками) толщиной порядка 10 мкм.

Предмет изобретения

Способ изготовления пленочных магнитных матриц с управляющими Шинам.и путем последовательного Получения .на подложке магнитных, диэлектрических и проводящих слоев и травления проводящих слоев на управляющие шины, отличающийся тем, что, с целью уменьшения омического сопротивления управляющих шин и сохранения магнитных свойств матриц, проводящие слои получают путем приклеивания фольги с помощью органических лаков (клеев) при нагревании матриц и .в присутствии магнитного поля в плоскости подложки.

-0,,SnH

1 2nKMf K: