Изобретение относится к области технологии изгоговления приборов электронной техники, в частности к способу фотогравировки пленок свинца, нанесенных на стекло, и может быть применено при изготовлении тонкопленочных криотронных схем.
Известные способы фотогравировки тонких свинцовых пленок, нанесенных на стекло, используют процесс фотолитического травления, который происходит при одновременном воздействии на свинец нитрометана и ультрафиолетовых лучей.
Одна.ко этот процесс очень сложен, мало изучен, требует особых условий, трудно воспроизводим, .не поддается регулированию, нетехнологичен и в силу перечисленных выше факторов непригоден для промышленного использования.
Известен также способ фотогравировки пленок свинца, использующий в качестве травителя уксусную кислоту 5-lOVo концентрации с добавкой нескольких капель перекиси водорода.
Однако при таком способе процесс травления очень критичен во времени, элементы рельефа всегда оказываются подтравленными не менее, чем на 5 мк от заданной ширины, передерЖКа в травителе на несколько секунд приводит к увеличению подтрава и, разрешающая способность способа невелика.
Предлагаемый способ отличается от известного тем, что для травления при фотогравировке свинцовых пленок на стекле применяется муравьиная кислота 65-85 о концентрации с окислением поверхности свинцовой пленки кислородом воздуха при обдуве ее, причем обрабатываемая поверхность подвергается периодическому воздействию воздуха и травителя, располагается параллельно и вблизи зеркала раствора, что увеличивает плотность компоновки и улучшает качество схемы.
На электрическую подложку, покрытую пленкой свинца, наносят фоторезист с образованием копировального слоя. После сушки, экспонирования копировального слоя, проявления и термического закрепления защитного слоя свинцовую пленку на подложке помешают в ванну с травителем так, чтобы раствор покрывал поверхность свинцовой пленки на 3-4 мм. В качестве травителя используется раствор муравьиной кислоты 65-85э/о концентрации. Подложку, находящуюся в растворе, обдувают с поверхности очишенным сжатым воздухом давлением до 1 атм с регулировкой скорости подачи. Обдув поверхности свинцовой пленки производится с помощью сопла которое устанавливается таким образом, чтобы без разбрызгивания можно было обдуть всю поверхность подложки до образования окисла свинца. После этого подача воздуха прекращена, раствор кислоты затекает на подложку и стравливает образовавшийся окисел.
Чередование циклов воздействия воздуха и раствора проводится до тех пор, пока весь свинец не стравится.
Продолжительность одного цикла составляет 20-30 сек, общее время травления свинцовой пленки толщиной 0,5-0,6 мк-6-7 мин. Травление проводят при температуре 18-25°С.
Предмет изобретения
Способ фотогравировки пленок свинца, нанесенных на диэлектрическую подложку, основанный на покрытии пленки свинца фоторезистом, образовании копировального слоя с его последующим травлением, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки и улучшения качества схем, подложку размещают в среде травителя, в качестве которого используют раствор муравьиной кислоты, на расстоянии 3-4 мм от зеркала травителя и обдувают иоверхность подложки через слой травителя сжатым воздухом, чередуя его с действием травителя.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления меза-структур | 1982 |
|
SU1050476A1 |
Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов | 1983 |
|
SU1102433A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ | 1992 |
|
RU2035086C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ | 1992 |
|
RU2012094C1 |
Способ изготовления интегральных МДП-транзисторов | 1980 |
|
SU865053A1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНФИГУРАЦИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ | 1991 |
|
RU2045114C1 |
Способ изготовления инжекционных логических интегральных схем | 1978 |
|
SU708862A1 |
Способ изготовления шаблона | 1982 |
|
SU1064352A1 |
Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур | 1982 |
|
SU1160895A1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ СОЕДИНЕНИЙ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМАХ | 1969 |
|
SU234525A1 |
Даты
1970-01-01—Публикация