СПОСОБ ФОТОГРАВИРОВКИ ПЛЕНОК СВИНЦА Советский патент 1970 года по МПК H05K3/00 C23F1/02 

Описание патента на изобретение SU261498A1

Изобретение относится к области технологии изгоговления приборов электронной техники, в частности к способу фотогравировки пленок свинца, нанесенных на стекло, и может быть применено при изготовлении тонкопленочных криотронных схем.

Известные способы фотогравировки тонких свинцовых пленок, нанесенных на стекло, используют процесс фотолитического травления, который происходит при одновременном воздействии на свинец нитрометана и ультрафиолетовых лучей.

Одна.ко этот процесс очень сложен, мало изучен, требует особых условий, трудно воспроизводим, .не поддается регулированию, нетехнологичен и в силу перечисленных выше факторов непригоден для промышленного использования.

Известен также способ фотогравировки пленок свинца, использующий в качестве травителя уксусную кислоту 5-lOVo концентрации с добавкой нескольких капель перекиси водорода.

Однако при таком способе процесс травления очень критичен во времени, элементы рельефа всегда оказываются подтравленными не менее, чем на 5 мк от заданной ширины, передерЖКа в травителе на несколько секунд приводит к увеличению подтрава и, разрешающая способность способа невелика.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что для травления при фотогравировке свинцовых пленок на стекле применяется муравьиная кислота 65-85 о концентрации с окислением поверхности свинцовой пленки кислородом воздуха при обдуве ее, причем обрабатываемая поверхность подвергается периодическому воздействию воздуха и травителя, располагается параллельно и вблизи зеркала раствора, что увеличивает плотность компоновки и улучшает качество схемы.

На электрическую подложку, покрытую пленкой свинца, наносят фоторезист с образованием копировального слоя. После сушки, экспонирования копировального слоя, проявления и термического закрепления защитного слоя свинцовую пленку на подложке помешают в ванну с травителем так, чтобы раствор покрывал поверхность свинцовой пленки на 3-4 мм. В качестве травителя используется раствор муравьиной кислоты 65-85э/о концентрации. Подложку, находящуюся в растворе, обдувают с поверхности очишенным сжатым воздухом давлением до 1 атм с регулировкой скорости подачи. Обдув поверхности свинцовой пленки производится с помощью сопла которое устанавливается таким образом, чтобы без разбрызгивания можно было обдуть всю поверхность подложки до образования окисла свинца. После этого подача воздуха прекращена, раствор кислоты затекает на подложку и стравливает образовавшийся окисел.

Чередование циклов воздействия воздуха и раствора проводится до тех пор, пока весь свинец не стравится.

Продолжительность одного цикла составляет 20-30 сек, общее время травления свинцовой пленки толщиной 0,5-0,6 мк-6-7 мин. Травление проводят при температуре 18-25°С.

Предмет изобретения

Способ фотогравировки пленок свинца, нанесенных на диэлектрическую подложку, основанный на покрытии пленки свинца фоторезистом, образовании копировального слоя с его последующим травлением, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки и улучшения качества схем, подложку размещают в среде травителя, в качестве которого используют раствор муравьиной кислоты, на расстоянии 3-4 мм от зеркала травителя и обдувают иоверхность подложки через слой травителя сжатым воздухом, чередуя его с действием травителя.

Похожие патенты SU261498A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления меза-структур 1982
  • Глущенко В.Н.
  • Колычев А.И.
  • Решетин Г.В.
SU1050476A1
Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов 1983
  • Глущенко В.Н.
  • Дмитриев А.Н.
  • Колычев А.И.
SU1102433A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ 1992
  • Коломицкий Николай Григорьевич
  • Астапов Борис Александрович
RU2035086C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ 1992
  • Коломицкий Николай Григорьевич
  • Астапов Борис Александрович
RU2012094C1
Способ изготовления интегральных МДП-транзисторов 1980
  • Глущенко В.Н.
SU865053A1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНФИГУРАЦИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ 1991
  • Лыньков Леонид Михайлович[By]
  • Карелин Юрий Кириллович[By]
  • Мочальник Наталья Анатольевна[By]
RU2045114C1
Способ изготовления инжекционных логических интегральных схем 1978
  • Глебов С.С.
  • Грицаенко П.Г.
  • Егоров А.М.
  • Тарасов А.П.
SU708862A1
Способ изготовления шаблона 1982
  • Кривутенко Анатолий Иванович
  • Папченко Валерий Павлович
SU1064352A1
Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур 1982
  • Глущенко В.Н.
  • Колычев А.И.
SU1160895A1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ СОЕДИНЕНИЙ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМАХ 1969
SU234525A1

Реферат патента 1970 года СПОСОБ ФОТОГРАВИРОВКИ ПЛЕНОК СВИНЦА

Формула изобретения SU 261 498 A1

SU 261 498 A1

Даты

1970-01-01Публикация