ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Советский патент 1970 года по МПК G11C11/14 

Изобрегение относи гея

к ооластн заномииающих ycTpoiicTb.

Известны элементы памяти на

тонкои цилиндрической иленке, нанесенной на диэлектрическую лодложку.

Известные элементы памяти такого ти-па изготавливаются либо методом вакуумного напыления на стеклянные трубки, либо методом электролитического осаждения на проволоку из нроводящего материала. Применяется и комбинированный метод, заключающийся . .в том, что на иодложку каким-лнбо снособом, 1аиример вакуумным или химическим, наносится металлический нодслой, а затем электролитическим сиособом осаждается тонкая магнитная пленка.

Предложенный элемент отличается тем, что сама пленка служит шиной записи - считывания. Это позволяет уиростить элемент иамятн.

Предложенный элемент иамятн изображен на чертеже.

Он выиолнеи на цилиидрическо тонкой магнитной пленке /, нанесенной на снлошнхю

диэлектрическую подложку 2. В качестве шины счнтывания-заииси в этом элементе нсиользуется сама магнигная иленка / или металлический 110ДСЛОЙ. При электролитическом способе нанесения пленок металлнческнй иодслой служит ишной для возбуждения циркулярного ноля. В случае же вакуумного наигллення нленок анизотропные свойства создаются .механическим способом.

Предложенный элемент памяти отличае1С 1 нростотой конструкции и технологии изготовления, так как не требует дополннтельиой ирошивки подложки токонесушими ироводами. С другой стороны, изготовление снлонгных диэлектрических подложек нроше и технологичнее, чем полых.

Предмет изобретения

Элемент памяти на тонкой иилиндрнческой

пленке, нанесенной на диэлектрическую нодложку, отличающийся тем, что, с целью унрощения элемента, сама иленка служит ишной

записи - считывания.