Снособ относится к области производства термочувствительных приборов.
Известны способы нанесения омических контактов к терморезисторам на основе амальгамы индия и эвтектики индий-галлий.
Однако такие .контакты обладают низкой механической прочностью.
Известен также способ изтотовлелия омических контактов путем химического нржелирования. Такие контакты наряду со сложным технологическим процессом их изготовления являются нестабиль ыми, особенно под нагрузкой и в результате пребы.вания их в условиях тропической влажности.
Вожженные серебряные электроды, применяющиеся для обычных терморезисторов с отрицательным ТКС, непригодны в связи с образованием приконтактных слоев повышенного сопротивления.
Целью предлагаемого изобретения является разработка сиособа нанесения контактов на тер.морезисторы, в частности, на терморезисторы с ноложительным ТКС, лишенные указанных недостатков.
Кроме того, припой содержит от 20-60% In и 80-40% РЬ; термообработку проводят при250±50С. Суть способа заключается в следующем:
механическая обработка поверхности на илифовальных станках; промывка в проточной воде; папе-сение пасты из окиси серебра на торцовые поверхности терморезистора; вжигание электродов при 700-800°С па воздухе
в течение 10-15 мин; обслуживание всей новерхности контакта и припаивание красномедных выводов методом окунания (или с помощью паяльника). Принципиально важным является состав припоя. Используется сплав
интия и свинца в соотношении от 77 вес. «/о РЬ - 23 вес. % In до 40 вес. % РЬ-60 вес. % In. Состав применяемого припоя определяется требующейся максималь)юй рабочей температурой терморезистора, которая увсличивается с ростом содержания РЬ. В качестве флю1са моисет быть использован спиртовой раствор канифоли. Терморазра ботку образцов с припаянными выводами осуществляют при 200-300°С в течение 2-4 час
для облегчения диффузии индия и свинца сквозь серебря1гый электрод. Диффузия Jn н РЬ была подтверждена спектральным исследованием. Электроды, нанесенные та.ким способом, 3 . ный контакт с образцом осуществляется не серебром, а продиффундировавшими сквозь него индием и свинцом, которые имеют высокий потенциал окисления. ,-, . П р е д м е т и 3 о б р е т е н и я 1. Способ изготовлгния омпческих контактов на полупроводниковых терморезисторах, отличающийся тем, что, с целью уменьшения 4 сопротивления и повышения стабильности контактов, в полупроводник вжигают слой серебра, облуживают серебряный слой приооем из сплава индий-свинец, производят термообработку. 3. Способ по п. 1, отличается тем, что припой содержит от 20-60% In и 80-40% РЪ. 3. Способ по п. 1, отличается тем, что термообработку пр0 водят при 250±50°С.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ СПЛАВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2564685C1 |
СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И МОДУЛЬ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА | 2011 |
|
RU2571167C2 |
ЛИСТОВОЕ СТЕКЛО, ОСНАЩЕННОЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИМ УСТРОЙСТВОМ И ОБЛАДАЮЩЕЕ ПОВЫШЕННОЙ СТОЙКОСТЬЮ К ТЕРМОЦИКЛИРОВАНИЮ | 2016 |
|
RU2731929C2 |
СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И МОДУЛЬ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА | 2011 |
|
RU2571444C2 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЗИСТОРОВ | 1988 |
|
RU1574094C |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАГОТОВОК ПРИПОЯ ДЛЯ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1973 |
|
SU381119A1 |
СТЕКЛО, ОСНАЩЕННОЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИМ УСТРОЙСТВОМ С УЛУЧШЕННЫМИ ЗОНАМИ ПАЙКИ | 2017 |
|
RU2746223C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ ПО ГИБРИДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ | 2009 |
|
RU2402088C1 |
Припой для лужения и пайки керамики и стеклокерамики | 1976 |
|
SU612767A1 |
Способ пайки деталей из керамики со сталью | 2022 |
|
RU2812167C1 |
Даты
1970-01-01—Публикация