Способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов Советский патент 1977 года по МПК B01J17/08 

Изобретение может быть использовано преилвущественно для получения монокристаллических пластин корунда. Известен способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов направ ленной кристаллизацией расплава в молибденовом контейнере, Предложенньзй способ отличается осу ществлением зонной плавки в лодочке в условиях остаточного давления газовой среды над расплавом 10 - 510 мм рт.ст. при соотношении поведзхностИ и объема расплава не менее 1 см , скорости перемещения фронта кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом температурном градиенте на фронте кристаллизации не более . Проведение направленной кристаллизации в таких условиях дает возможность получать монокристаллические пластины корунда, имеющие плотность дислокаций не более 1Сг см и величину внутренних напряжений не более 1,5 кг/мм. В качестве исходного материала, подвергаемого направленной кристаллизации, служит брикетированный технический глинозем с содержанием окиси магния не более 0,1% и удельным весом 3,8-3,9 г/см. Лодочку заполняют ИСХОДНЫМ;материалом в количестве, при котором соотнсхиение поверхности и объе ма расплава не меньше 1 см , и протягивают горизонтально через зону плавления вакуумной печи, в которой поддерживают остаточное давление 10 - 5« рт.ст. Скорость перемещения лодочки 8г-10 мм/ч, температура; расплава - 2050-2100 с при осевом температурном градиенте на фронте кристги - лизации не более . Первый проход позволяет очистить исходный материал на порядок, после второго прохода при тех же условиях количество примесей в полученном монокристгшле ш в 15 раз меньше чем в исходном материале. Полученные монокристаллы имеют внутренние напряжения 1,0-1,5 кг/мм, плотность дислокаций см и могут быть подвергнуты механической обработке без дополнительного отжима. Формула изобретения Способ, вьпращивания монокристаллов тугоплавких окислов направленной кристаллизацией расплава в молибденовом

3 4

контейнере, отличающийсягазовой среды над расплавом 1(Г тем, что, с целью получения монокрис--510 мм рт.ст. при соотношении поталлов кoiзyндa 1с плотностью дислока-верхе.ссти и объема расплава не менее

дни не более величиной внут-1 , скорости перемещения фронта

ренних напряжений не более 1,5 кг/мм,5 кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом

зонную плавку осуществляют в лодоч-температурном градиенте на фронте крирке в условиях остаточного давленияталлизации не более 1 C/N&I.