УотрОйство предназначено для использования в электровакуумных, преи М|уще1Сгвенно .м и 1 си а т ЮРН ы X, п р И(бор а х.
Известен туннелыгый холодный катод с гетер о п е р е ход о м НО л уп ров 0|Д н и к - д и э л eiKTp ш. с
нлеНкой полунр01ВО ДНИ1Ка толщиной 70-100 А. Одна.ко у этого Катода коэффициент roiKOinpoхождения (отношение тока эмиосии К сквозному току) - 10 .
Предлагае1мый катод представляет «сэндвич Mi ZnS SiO M2, где IB каче.стве MI использован алюапдаи.й, а ;В .качестве М2 - алю.миний или золото. Гетеропереход образова-н нле)1кой полунроводниашвото -сульфида цинка толщиной 500-2000 А и илен1кой диэле1ктричес1кой :моН|00 Киси кремния толщиной 500-1000 А.
Больщая толщина пленок исключает туннелирование эле|Ктро)ов из металлической подложки через нолушроводнвк и диэлектрик в верхнюю металличеокую нленку. Источником эле1КТ роноъ является слой полу1пр01водника. Потенциальный барьер ,на гетеропереходе ZnS SiO невелик, благодаря в пленке SiO образуются две зоны с разной концентрацией электронов, нричем со стороны ве)хией металлической пленки нолучается уз|кий диэлект)ическнй слой, дакмци Й высокий 1коитактный барьер с ллепкой 1металла. Суще СтВОвание этих зон в та1кой системе 1ири1водит к сужению энергетического снемтра эмиттированцых электронов и увеличению коэффициента токопрохождени-я до .
П р е д м е т и з о б р е т е н и я
Холодный катод тина «сэндвич с гетер о не р е ход о м н о л уп р н И1К -д и э л е1ктр шк, отличающийся тем, что, с целью иоВыщения коэффициента токонрохождения, гетеропереход образован нленкой сульфида цинка толщиной 500-2000 А И нленкой моиоокисл кре-мния толщиной 500-10,00 А.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ИНЖЕКТИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИНЖЕКТИРУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ | 1992 |
|
RU2115270C1 |
Способ изготовления многослойного цветного экрана | 1980 |
|
SU940252A1 |
ДИОД НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ (МПМ) | 2013 |
|
RU2632256C2 |
МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА НА ОСНОВЕ "КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК" ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ | 2002 |
|
RU2193255C1 |
Гибридный фотопреобразователь, модифицированный максенами | 2018 |
|
RU2694086C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКОВОГО ЦИНКСУЛЬФИДНОГО ЭЛЕКТРОЛЮМИНОФОРА | 2010 |
|
RU2429271C1 |
Приемный материал для одноступенного диффузионного фотографического процесса | 1980 |
|
SU951225A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СУЛЬФИДА ЦИНКА | 1994 |
|
RU2094376C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ПЛЕНОК СОЕДИНЕНИЙ ТИПА AB | 1990 |
|
RU2023771C1 |
Способ получения монозеренных кестеритных порошков из тройных халькогенидов меди и олова и соединений цинка | 2019 |
|
RU2718124C1 |
Даты
1970-01-01—Публикация