Известный напроволочный резистор с нанесенным на керамическое основание токолро1водя(щим слоем из токОПроводящей и диэлектричеокой компонент имеет относительно низкую стабильность параметров.
В предлагаемом непроволочном резисторе повышение стабильности его napaiMeTipOB достигается использованием .в качестве части диэлект;рической компоненты вещества, образующего с остальными составляющими токопроводящего слоя стеклообразную фазу, ааири1ме|р окислов ванадия, при применении в качестве компоненты токапроводящего слоя из металлосили1ция, алюминия и о кислов лантанОИдов.
Проводящий слой для резисторав, например металлосилицидный сплав с добавками о«ислов лантаноидов, одновременно с непроводящей электрический ток составляющей, в качестве которой использованы окислы ванадия, вводимые в количестве 10-20% по весу дополнительного к весу основного состава слоя-1металлосилицидного оплава и окислов лантаноидов, наносятся на керамические основания термической возгонкой в вакууме.
Металлизированные керамические основания подвергают прокалке в воздушной окисляющей Среде и в интервале температур от 400 до 75°С (от 5 мин до нескольких час).
Необратимое изменение сопротивления после 6000 час эксплуатации резисторов номинальных величин 510 ком и 1 мом составило 0,35%.
10
Предмет изобретения
Непроволочный резистор, снабженный керамическим основанием, покрытым токопроводящим -слоем, состоящим из токоцроводящей и диэлектрической компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрических параметров резистора, в качестве части диэлектрической компоненты использовано вещество, образующее с остальными составляющими стеклообразную фазу, например окислы ванадия, и при токопроводящей компоненте из металло-силиция и окислов лантаноидов.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ НА ЕГО БАЗЕ | 2006 |
|
RU2323497C1 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С НИЗКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ | 2015 |
|
RU2581860C1 |
УСТРОЙСТВО КЕРАМИЧЕСКОЙ ПЛАТЫ, КОМПОЗИЦИЯ ЕЕ ПОКРЫТИЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОСЛЕДНЕГО | 2003 |
|
RU2269181C2 |
ТОКОПРОВОДЯЩИЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU434487A1 |
Резистивный материал | 1980 |
|
SU945908A1 |
Сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария-стронция | 2020 |
|
RU2751527C1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1972 |
|
SU347812A1 |
СИСТЕМА СЕЛЕКТИВНОЙ КАТАЛИТИЧЕСКОЙ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ДЛЯ ПОГЛОЩЕНИЯ ЛЕТУЧИХ СОЕДИНЕНИЙ | 2010 |
|
RU2600208C2 |
ЖАРОСТОЙКИЙ МАТЕРИАЛ | 2000 |
|
RU2178958C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА | 2005 |
|
RU2297682C1 |
Даты
1970-01-01—Публикация