Изобретение относится к радиодеталесгроению и может быть использовано при производстве непроволочных резисторов. Известные резисторы объемного типа на основе сложного карбида и связующего, канрнмер стекла, имеют низкую мощность рассояния, плохую термостойкость и высокий температурный коэффициент. Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем, что в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов V и VI групи периодической системы. В качестве металла VI группы взят вольфрам, в качестве металла V группы - ниобий или ванадий. Компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес. %): Пиобий (ванадий)10-95 Вольфрам0,5-70 Углерод общ.4-20 Углерод своб.0,1-2 Для расщирения температурного интервала работы резистора до 200-250° С, увеличения мощности рассеивания при уменьшении габаритов, повышения механической прочности и стабильности, а также для расширения диапазона номиналов в сторону низких значений в состав предлагаемого низкоомного объемного резистора наряду со связующим материалом (например, алюмо-силнкатно-борно-бариевого состава стекла) входит сложный карбид (преимущественно твердые растворы): (Nbj-xWxC). Такая тугоплавкая композиция способна при пропускании тока выдерживать высокие температуры и при этом не менять своих характеристик в течение длительного времени эксплуатации. Для получения заданного низкого ТКС приводится следующий примерный состав резистивного карбида (вес. %): Пиобий2-80 Вольфра.м5-90 Углерод общ.4-20 Углерод своб.до 1,5 Резистор изготовлен в габаритах резистора СПО-0,5 вт методом горячего прессования при 900°С в слабо восстановительной среде. Связующим материалом служит высокобариевое алюмо-силикатно-борно-бариевое стекло с добавками модифицирующих окислов для поддержания согласованности КТР резистивиого карбида и связки. Предмет изобретения
термостойкости и мощности рассеяния, снижения температурного коэффициента сопротивления, в качестве токопроводящей фазы использован сложной карбид металлов V и VI групп периодической системы.
2.Резистор по п. 1, отличающийся тем, что в качестве металла VI группы взят вольфрам.
3.Резистор по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что в качестве металла V группы взят ниобий.
4.Резистор по пп. 1 и 2, отличаюи ийся тем, что в качестве металла V группы взят ванадий.
5.Резистор по п. 1, отличающийся тем, что его компоненты взяты в следующих количественных соотнощения.х (вес. %):
Ниобий (ванадий)10-95
Вольфрам0,5-70
Углерод общ.4-20
Углерод своб.ОД-2
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1972 |
|
SU347807A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU347811A1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ НЕПРОВОЛОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1971 |
|
SU317113A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1971 |
|
SU313227A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1971 |
|
SU303660A1 |
РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ | 1971 |
|
SU319000A1 |
РЕЗИСТИВНЬШ МАТЕРИАЛI 1 • к .; .,^taeaaCfoifLv •ч-,-, i.. | 1972 |
|
SU347809A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1971 |
|
SU302756A1 |
ЛИТЕЙНЫЙ ЖАРОПРОЧНЫЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ НИКЕЛЯ | 2010 |
|
RU2434069C1 |
Способ получения композиционного металл-дисперсного покрытия, дисперсная система для осаждения композиционного металл-дисперсного покрытия и способ ее получения | 2020 |
|
RU2746863C1 |
Даты
1972-01-01—Публикация