Э. И. Евко. А. П. Захаров, Р. И. НаздзгДВД---^и 3. Г. Л'\енделеева Институт физической химии АН СССР Советский патент 1971 года по МПК C23C16/08 

Изобретенне относится к области получения металлических покрытий из газовой фазы, в частности к области иолучеиия вольфрамовых покрытий.

Известен способ иолучения вольфрамовых нокрытий восстановлением гексафторида вольфрама водородом иа иагретой подложке с предварительно очистко комиопептов реакционной смеси.

По иредложеиному способу используют монокристаллическую подложку, нагревают ее в токе чистого водорода при 800-1200°С и процесс ведут при соотношепнп водорода п гексафторида вольфрама 3-6, давлсшш гексафторнда вольфрама 0,001-0,03 ar.i/, температуре 800-1200°С и скорости иотока комионентов от 15 до 100 см/сек, что обеспечивает получение моиокристаллмческих покрытий.

Монокристалличеекую иодло/кку из вольфрама или молибдеиа, иа которую осаждают вольфрамовые покрытия, предварительно очищают от окислов путем их восстановления в потоке чистого водорода, скорость которого 15 смсек, при температуре 800-1200С г; течение 30 мин. Для иолучения монокристаллических нокрытий пеобходимо иредотвратить гомогеиное протекание реакции. Это достигается поддержанпем определенного соотиошення между водородом и гексафторндол: вольфрама, а именно 3-6. Начальное нарцпальное давление гексафторнда вольфрама поддерживают 0.03 агм, а водорода 0,09. Снижают парциальное давление либо разбавлепнем реакционно смеси инертным газом - аргоном, , лнбо разрежением. Скорость потока колшонентов от 15 до 100 см/сек, время пребыван 1я в реакцпонной камере 0,1 - 1 сс1. Гексафтор д вольфрама предварительно очищают от оксифторидов и других малолетучих 1римесей вакуумной днстилля и1ей, водород от азота, кислорода, углекислоты i иаров воды с омощью катализаторов ,еОЛИТОВ.

Способ обеспечивает получен 1е монокристал л 1 ческих вольфрамов з1х нокрытгп и а деталях сложной конфигурации.

Предмет з о б р е т е н и я

1. Способ получения вольфрамовых нокрытий иутем восстаиовления гексафторнда вольфрама вoдopoдo на нагретой нодлол ке, отличающийся тем, что, с нолучения моиокр сталл11ческих , в качестве иодложк нсиользу ОТ моиокрпсталличееку о подложку, очшцают ее от окислов иутем нагрева в токе водорода ири температуре 800-1200С и ироцеес ведут соотношении водорода н гексафторида вольфрама 3-6, давлеинн гекеафторида вольфрама 0,001- 3 0,03 атм, температуре 800-1200°С и скорости потока компонентов от 15 до 100 см/сек. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве монокристаллнческой подложки 4 используют монокристаллическпй вольфрам, 3. Способ но н. 1, отличающийся тем, что в качестве монокристаллической подложки используют монокрнсталлический молибден.