СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БОРАТА ЦИНКА Советский патент 1971 года по МПК C01B35/12 

Изобретение относится к способам получения соединений бора, в частности бората цинка, который может найти применение в производстве стекол, керамики, эмали, красок. Известен способ получения бората цинка 2ZuO-38203-71420 путем обработки сульфата цинка смесью буры и борной кислоты при оптимальном соотношении компонентов Гха2В4О7:гп5О4:НзВОз 1 : 1 : 10. Образующийся осадок бората циика отделяют, промывают и сушат. Получаемый борат цинка загрязнен ионами SO/ и Na+, большая часть которых может быть удалена только при длительной промывке осадка. С целью повышения степени чистоты продукта предлагается осаждение бората цинка проводить в присутствии концентрированного водного раствора аммиака при 50%-ном избытке борсодержащего компонента, например борной кислоты. Содержание примеси SO/ в продукте 0,33%. При прокаливании продукта при температуре не ниже 800°С ионы SO4 отсутствуют. Пример. В 400 л воды растворяют сначала 54 кг семиводного сульфата цинка, а затем загружают 53 кг борной кислоты. Через 30 мин добавляют 29 л концентрированного водного раствора аммиака и перемешивают смесь 6 час при температуре не выше 30°С. Далее отделяют осадок бората цинка, промывают 200 л холодной воды, сушат при температуре ПО-120°С и прокаливают при температуре 800°С в течение 30 мин. Состав бората цинка до прокаливания (в %): В2Оз39,87 ±0,47 ZnO32.08 ±0,43 SO/0,33 После прокаливания борат цинка ионы SOi не содержит. Предмет изобретения 1.Способ получения бората цинка путем осаждения его из раствора сульфата цинка и борсодержащего соединения с последующей фильтрацией раствора и сушкой полученного осадка, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чнстоты продукта, осаждение бората цинка проводят в присутствии водного раствора аммиака и избытка борсодержащего соединения, например борной кислоты. 2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что борную кислоту берут в 50%-ном избытке. 3.Способ по п. 1, отличающийся тем, что полученный борат цинка прокаливают при температуре не ниже 800°С.