Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, например фотопреобразователей, где требуется механическая обработка одной стороны кристалла.
Известны способы механической обработки полупроводниковых кристаллов, сущность которых заключается в следующем; монокристаллические слитки, например кремния, германия, арсенида, галлия, представляющие собой стержни определенной длины и диаметра, разрезаются на диски требуемой толщины. После резки диски промывают, сортируют по толщине и параллельности сторон и отправляют на операцию шлифовки и полировки поверхности.
Шлифовку и полировку дисков проводят на прецизионных станках разных типов. Для проведения шлифовки и полировки рассортированные диски наклеивают на головки, устанавливают на станок, шлифуют для обеспечения параллельности сторон. Для снятия нарушенного поверхностного слоя диски подвергают многоразовой полировке с последующим уменьшением зернистости абразивов. После окончания полировки диски отклеивают и промывают.
Недостатком известного способа является разобщенность операций механической обработки, большие потери на межоперационных процессах и наличие большого процента брака
(непараллельность сторон диска вследствие его деформации в процессе шлифовки).
Целью описываемого способа механической обработки полупроводникового материала, например кристаллов, является повышение производительности труда и снижение потери дорогостоящего полупроводникового материала на брак. Для этого одновременно обрабатывают весь
слиток без предварительного резания его на диски. Торец слитка, например кристалла, полируют и затем отрезают диск требуемой толщины, затем поверхность снова полируют и снова отрезают диск, повторяя эти операции до полного использования длины полупроводникового слитка.
Таким образом ликвидируется операция шлифовки дисков, устраняются вспомогательные операции приклейки дисков, сортировки,
промывки после резки, замеров толщины, установки и съема дисков на станки. Кроме того, устраняются напряжения и деформации полируемой поверхности дисков, резко снижаются потери полупроводникового материала от брака. отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и снижения брака, торец слитка полируют, а затем отрезают диск требуемой толщины, повторяя полировку и резку до полного использования длины слитка.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ МИШЕНИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА ТИПА AB | 1992 |
|
RU2032242C1 |
Способ получения пластин лейкосапфира | 1982 |
|
SU1056805A1 |
Способ получения полупроводниковых эпитаксиальных структур | 1972 |
|
SU723986A1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРЕМНИИ | 2000 |
|
RU2178220C2 |
СПОСОБ ДОВОДКИ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ЭПИТАКСИИ АЛМАЗА | 2012 |
|
RU2539903C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ТРАНСФОРМАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ | 2020 |
|
RU2748973C1 |
СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛИРОВАННЫХ ПОДЛОЖЕК ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | 2006 |
|
RU2345443C2 |
Способ ориентированной механической обработки кремниевых изделий | 1980 |
|
SU1023452A1 |
СПОСОБ ОДНОВРЕМЕННОГО ПОЛУЧЕНИЯ НЕСКОЛЬКИХ ОГРАНЕННЫХ ДРАГОЦЕННЫХ КАМНЕЙ ИЗ СИНТЕТИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ - МУАССАНИТА | 2010 |
|
RU2434083C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОПОЛИРОВАННЫХ ПЛАСТИН ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | 2006 |
|
RU2345442C2 |
Даты
1971-01-01—Публикация