СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Советский патент 1971 года по МПК H01B3/12 

Изобретение относится к технологии производства радиодеталей и может быть-использовано при изготовлении конденсаторов, работающих в условиях повышенных температур до 300°С.

Известен сегнетокерамический диэлектрический материал, содержащий углекислый стронций, двуокись титана, окись висмута и окись цинка.

Известный материал работоспособен до температур 200-250°С, однако при дальнейшем увеличении температуры электрические свойства его резко ухудшаются.

С целью повышения рабочих температур изделий предлагаемый сегнетокерамический материал содержит следующие компоненты, вес. %: углекислый барий 30-50, углекислый стронций 4-22, двуокись титана 27-32, окись висмута 13-15 и окись цинка 3-4.

Сегнетокерамический диэлектрический материал представляет собой твердый раствор системы BaTiOa - SrTiOa - BioOs-37102 с добавкой LnO. В качестве исходных компонентов используются следующие компоненты, вес. %:

углекислый барий ВаСОз30-50

углекислый стронций ЗгСОз 4-22 двуокись титана TiO227-32

13-15

ОКИСЬ висмута В{20з окись цинка ZnO

3-4

Сегнетокерамический диэлектрический материал имеет величину диэлектрической ,прони-цаемости е при температурах 20 и 300°С, соответственно, 20 1000-1400, 300 500-

900, тангенс угла диэлектрических потерь, соответственно, tg62o 0,002-0,04, tgSgoo

0,002-0,005, удельное объемное сопротивление при 300°С составляет Юю ом-см.

Температура обжига материала равна 1160°С, а интервал температур спекания- 140°С.

Предмет изобретения

Сегнетокерамический диэлектрический материал, содержащий углекислый стронций, двуокись титана, окись висмута и окись цинка, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочих температур изделий, материал содержит следующие компоненты, вес. %: углекислый барий 30-50, углекислый стронций 4-22, двуокись титана 27-32, окись висмута 13-15 и окись цинка 3-4.