СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВС№~^:..::;-?;ХРОМА Советский патент 1972 года по МПК C25D3/56 C25D5/00 

Известен споооб эле ктролитического осаждения юплавоВ хрома, например сплава хромжелезо, в электролите, содержащем хром сернокислый и железо сернокислое за кисное.

Для получения коррозионностойких защитно-де1корати1вньгх и магнитных ло крытин сплавом хром-железо-фосфор в злeiктpoлит вводят :гипофосфит аммония и процесс ведут п-ри рН 1-2, 1катоднон плютиости тока 5- 15 а/дм- и температуре 20-г-60°С с граф,позыми анодами, за1клю. в пористую керамичелкую диафрагму.

Кро.ме того, процесс .ведут в злектролите, содержащем, г/л:

хром сернокислый100-200 железо сернокислоезакис вое25-100 гипофосфит аммония5- 20

При у1казаННых условиях осаждаются илотвые блесТЯщие толщиной до 3 мк пОКрытия с малой коэрцитивной силой (Не 0,35-1,1). С|пла1в содержит, %: до 75 хрома и от 5 до 15,5 фосфора. Выход п-о току 5-10%. Электролит готовят путем в ведеиия в иро-работанный TO.KOiM раствор сернокислого хрома расчетного (Количества гипофосфита аммошш, после чего электролит прорабатывают током вторично и вводят необходи1мое количество сернокислого заки сного железа. Используе ;ый эле-кТ|ролит стабилен в раооте, не тОКсичеи и может использоваться ири (Комнатной темоературе.

5 Пример 1. В электролите, содержащем.

хром се)нс-кислый (Сг2{5О4)з-5Н2О) 200 сернокислое железо за кисное

(FeSO,-7H2O)75

Г1 110фосфнт аммония10

при рИ --- I ,Б: Dk : 5 адм- и те мл ер а туре 20 С о.саждаютС51 плотные светлые блестящие покрытия с содержпние-м, %: хрома 8, железа 79 и фосфора 13. Выход силава по току 5%. Коэрцитивная сила осадков около I эр( Т

L 1 V н, i-i

Пример 2. При осаждении в электролите, аналогичном примеру 1, при тампературе 40°С и Dk 10 а/длг- осадки сплава содержат, %: 6 хрома, 79 железа и 14 фосфора. Выход сплава по току около 7%. Коэ1р.цити:Вная сила покрытий около 0,35 эрстед.

Предмет и з о б р е т е н и я

1. Способ электролитического осаждения 3 тивных и магницщых покрытий оплавам хромжелезо-фосфор, s элеиЛ-рюлит вводят гипоф.осфит аммоиия и лрощесс (ве1дгут яри рН 1-2, катодной плотности тока 5-15 а/дм и температу|ре 20-60°С с графитоиы.ми анодами,5 заключенными в пористую керамическую диафрагму. 4 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что процесс ведут в элэктролите,содержащем, г/л: хром сернокислый100-200 железо сернокислое за(кисное25-100 гипофосфит аммония5- 20