Способ выращивания монокристаллов кремния,ориентированных в направлении /111/ Советский патент 1978 года по МПК B01J17/18 

Изобретение относится к металлургии полупроводников. Известны способы выращивания ориентированных в направлении fl 1 ij моно кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы. Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затрав ку, имеющую форму трехгранной призмы боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 12} Это позволяет исключить образование двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличивается прои водительность процесса. Пример. Монокристаллы кремни ориентированные в направлеиии ш вытягивают из расплава по способу Чохральского. Затравки в виде трехгранных правильных призм свысотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из монокристаллов, ориентированных в направ-о лении fill таким образом, что боковые грани затравок совпадают с кристаллографическими плоскостями 112j. Выход монокристаллов составляет 100%. Формула изобретения Способ выращивания монокристаллов кремния ориентированных в направлении fill из расплава иа затравке в виде правильной ,o т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью иск 1ючения образования в начальный период выращивания двойников,используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают }-- л кристаллографическими плоскостями (1I2J.