Изобретение относится к металлург,ии полупроводников.
Известен способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей форму четырехгранной приз1«11, ориентированной в направлении юо.
Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадающими с кристаллографическими плоскостями 100.
Это дает возкюжность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво.
По описываемому способу монокристалла. выращивают на затравке квадратного сечения площадью 3x3 мм, вырезанной из монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях ml и юо . Вытягивание производят обычным путем.
Формула изобретения
Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на затравке в виде четырехгранной призьш, ориентированной в направлении 100, о т личающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов, используют затравку, боковые грани которой совпадают с кристгиялографическими плоскостями{ЮО.Ji
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ выращивания монокристаллов кремния,ориентированных в направлении /111/ | 1970 |
|
SU331608A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | 2006 |
|
RU2324017C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА | 2003 |
|
RU2230838C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ | 1981 |
|
SU1061526A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАЛИЙ ТИТАНИЛ АРСЕНАТА KTiOAsO | 1997 |
|
RU2128734C1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ САПФИРА | 2003 |
|
RU2227820C1 |
| Способ получения слитка полупроводника с множеством границ наклона @ | 1982 |
|
SU1081245A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ИНДИЯ | 2010 |
|
RU2462541C2 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 1994 |
|
RU2067626C1 |
| КРЕМНИЕВАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛАСТИНА НОВОГО ТИПА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1994 |
|
RU2141702C1 |
