СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ОСМ^Я Советский патент 1972 года по МПК C25D3/50 

Изобретение относится к области нанесения гальванических покрытий.

Известен способ электрохимического осаждения осмия из щелочного электролита, содержащего соль осмия. Однако осадки осмия толщиной 0,1-0,2 мкм покрываются чернью. Предложенный способ отличается от известного тем, что для улучшения качества покрытия в электролит вводят соляную кислоту, хлористый аммоний, аммиак и процесс ведут при 20-100°С, катодной плотности тока 0,2-20 а1дм

Электролит имеет следующий состав, г/л: Осмий (на металл)0,5-10

Соляная кислота (конц.)50-200

Хлористый аммоний40-200

Аммиак (25%) до рН1-1,5

В качестве катода используют покрываемую деталь из меди, латуни, бронзы, серебра, молибдена и других металлов, а в качестве анода - любой нерастворимый анод, например осмий, платина, родий, иридий.

Электролит готовят следующим образом. Металлический осмий электролитически растворяют в растворе соляной кислоты соответствующей концентрации при протекании переменного тока промышленной частоты плотностью тока 25-150 а1дм. После этого в раствор вводят хлористый аммоний. Затем раствор кипетят в течение 10-20 мин до вишнево-красного цвета.

По предложенному способу ползчают осадки осмия блестящие, полублестящие, матовые в зависимости от плотности тока толщиной до 1-2 мк.

Предмет изобретения

1.Способ электрохимического осаждения осмия из электролита, содержащего соль осмия, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества покрытия, в электролит вводят соляную кислоту, хлористый аммоний, аммиак и процесс ведут при 20-100°С, катодной плотности тока 0,2-20 .

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что электролит имеет следующий состав, г/л:

Осмий (на металл)0,5-10

Соляная кислота (конц.)50-200

Хлористый аммоний40-200

Аммиак (25%) до рН1,0-1,5