предлагаемое изобретение относится к области получения тонких пленок и может быть использовано в микроэлектронике для получения резистивных, сверхпроводящих, диэлекТ|рических магнитных и других пленок.
Известны способы получения тонких пленок термическим испарением материалов с последующим .конденсированием его на подложке в среде разреженных газов. Одна,ко качество получаемых пленок низкое, а воспроизводимость электрофизических параметров недостаточна.
Для повыщения качества пленок и воспроизводимости электрофизических параметров при испарении многокомпонентного материала интенсивность молекулярного потока каждого .компонента регулируют изменением температурных режимов испарителей.
На чертеже изображена установка для осуществления предлагаемого способа получения тонких пленок.
Сущность предлагаемого способа получения тонких пленок заключается в поддержании при испарении многокомпонентного материала интенсивности молекулярного потока каждого компонента в строго заданных пределах.
Молекулярный поток испаряемого материала образуется в испарителе ) и конденсируегсз на подложке 2. На пути молекулярного потока установлен датчик 3 масс-спектрометра, который регистрирует интенсивность молекулярного потока каждого компонента. По величине сигналов масс-спектрометра в процессе испарения исходного материала регулируют интенсивность молекулярного потока каждого компонента либо дросселированием потока заслонками 4, либо изменением температуры одного или нескольких испарителей /.
Предмет изобретения
Способ получения тонких пленок термическим испарением материалов с последующим конденсированием его на подложке в среде разреженных газов, отличаюи/ ийся тем, что, с целью повыщения качества иленок и воспроизводимости электрофизических паралгетров, при испарении многокомпонентного материала интенсивность молекулярного потока каждого компонента регулируют изменением температурных режимов испарителей.
К EOKijiinHOtig Hococi
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ЭФФЕКТОМ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ | 2016 |
|
RU2631071C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ТОНКОПЛЕНОЧНОГО МНОГОКОМПОНЕНТНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА | 2023 |
|
RU2818990C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1991 |
|
SU1829767A1 |
| Способ управления плазменным осаждением тонких пленок в вакууме | 1988 |
|
SU1797628A3 |
| Вакуумная установка для нанесения пленок | 1976 |
|
SU605860A1 |
| УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ | 2011 |
|
RU2473147C1 |
| СПОСОБ ИОННОЙ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЙ | 1989 |
|
SU1632088A1 |
| Устройство для напыления многокомпонентных покрытий в вакууме | 1983 |
|
SU1581776A1 |
| ИСТОЧНИК МОЛЕКУЛЯРНОГО ПОТОКА | 1993 |
|
RU2064980C1 |
| УСТАНОВКА ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ | 2009 |
|
RU2404285C1 |
