Изобретение относится к радиоэлектронной технике. Состав может быть исиользован при производстве высокостабильных резисторов.
Известны токопроводящие составы на основе валентных полупроводников из солей щелочноземельных металлов и ортокислот с примесью в виде металлических соединений, окислов металлов, карбидов, нитридов или боридов.
Однако резисторы на основе указанных составов не обладают требуемой стабильностью параметров, в частности, имеют сравнительно высокий температурный коэффициент сопротивления.
Цель изобретения - уменьшение температурного коэффициента сопротивления, повышение стабильности параметров и расширение диапазона номиналов резисторов. Достигается она использованием для токопроводящего состава полупроводниковых соединений типа в частности сульфида цинка, легированного Ag и Си, вводимых в шихту в виде солей AgNOs и CuCli с добавлением в качестве плавня NaCl. Исходные компоненты взяты в следующих соотношениях (вес. %): Сульфид цинка92-99,46
Смесь исходных компонентов тщательно перемешивают и подвергают тепловой обработке на воздухе или в среде нейтрального газа при температуре не выше 1300°С в течение
30-60 мин. Полученный токопроводящий материал смешивают со связующим и из смеси изготовляют любым известным способом электропроводящий элемент резистора. Последний должен быть защищен от воздействия
света, который влияет на параметры резисторов.
Предмет изобретения
Токопроводящий состав для изготовления резисторов на основе сульфида цинка, легированного медью и серебром, содержащий в качестве исходных компонентов сульфид цинка, соли серебра, меди и натрия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и расширения диапазона номиналов резисторов, исходные компоненты взяты в следующих соотнощениях (вес. %):
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU355672A1 |
Резисторный материал | 1974 |
|
SU525168A1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1972 |
|
SU347810A1 |
Резистивная паста | 2017 |
|
RU2669000C1 |
ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ | 1973 |
|
SU372582A1 |
УСТРОЙСТВО КЕРАМИЧЕСКОЙ ПЛАТЫ, КОМПОЗИЦИЯ ЕЕ ПОКРЫТИЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОСЛЕДНЕГО | 2003 |
|
RU2269181C2 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1972 |
|
SU347812A1 |
СЕРОСОДЕРЖАЩАЯ КРЕМНЕЗЕМНАЯ ФРАКЦИЯ | 2011 |
|
RU2567611C2 |
РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ | 1971 |
|
SU319000A1 |
СЕРОСОДЕРЖАЩАЯ КРЕМНЕЗЕМНАЯ ФРАКЦИЯ | 2011 |
|
RU2567302C2 |
Авторы
Даты
1972-01-01—Публикация