РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ Советский патент 1972 года по МПК H01C7/00 

Предлагаемый резистивный материал может быть использован при изготовлении резисторов широкого диапазона номиналов.

Известен резистивный материал на основе углерода, окислов металлов, боридов и т. д., а также на основе проводящих органических материалов.

Универсальностью свойств, которые удовлетворяли бы все требования к резисторам, ни ОДНО из этих соединений не обладает, в связи с чем необходим поиск материалов и композиций с улучшенными по сравнению с известными электрическими и физико-химическими характеристиками.

Цель изобретения - повышение стабильности резисторов. Достигается она тем, что в резистивный материал, содержаш,ий смесь окислов цинка, кремния и хлористый марганец, вводят окись бериллия, причем исходные компоненты взяты в следующих соотнощениях {вес..%):

Окись бериллия29-36

Окись цинка30-35

Окись кремния29,9-37,5

Хлористый марганец 0,1- 2,5

2 час па воздухе или в атмосфере нейтрального газа при температуре не выше 1300°С.

Прокаленный состав смешивают с высокоомной связкой и формируют токопроводящее тело резистора.

Предлагаемый резистивный материал позволяет получать резисторы с сопротивлением от нескольких ом до сотен и тцсяч килоом. Его температурный коэффициент +lQ,, э.д. с. щумов резисторов из данного материала не превышает 0,2- 0,3 мкв/в. Входящие в него компоненты дешевы и доступны.

15

Предмет изобретения

1.Резистивный материал, содержащий в качестве -исходных компонентов смесь окислов циика, кремния и хлористый марганец, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности резисторов, в смесь вводят окись бериллия.

2.Резистивный материал по п. 1, отличающийся тем, что исходные компоненты взяты в

следующих соотношениях (вес. %):