Резисторный материал Советский патент 1976 года по МПК H01C7/04 

Изобре-гание о-гаоектса Е а6кас,х эронэвадства резоасторов ж может быть нсзольз(ааяо длЕ изготовления коьлпезаинозшь к реаис с шнрокжл даалазашзы нокащаяов н низким те шерачурным козфф.такнентом c.- Иавес-тен реакетжВЕЫй ;;датернш .цпя нз- г говненяя резисторов с ннззшм ТКС в состав которого с аепыо де1;зышенв;я етабиль ностй: и расшжренаа днадазуыа ноьежалов ре знстора Б Jie-iecTBe жомлонеЕТОв введены суль4жд цинка и солг: серебра 1.. Наибопее близким тезшкзнескш решением к иэобретейкю йЕотяется реакстквный матерная, содержащий легнрованный сульфид цинка, борид метагша пережэ/ддой и диэлектрнческое cBs3jEOffi;ear2L Недостатком этого материала является сравннтеяьно высокий температурный коэф4Еанен:т сопротив лента L (1эО - 2,4) град. J . Для пйнучениа коьшозкнЕонных резксторов с НИЗКИМ температ рнкай к:&й4фЕИЕентом сопро шаления н ншрокам даакааоном номи налов в предлагаемом материале и ка естве тугоншавкого соединения B3.ST яйсапнэшд ШгШКояЕН s указанные .i-ij uiosessrrbiЕ ЯТЫ в следукгщз соотнсшеЕВКг об. %: Лег-.ар4)ааачйь: :й еуяьфид .44-56 ,ЦЕСЕ:;В1.®}:д щгркоЕГКя ( Li i)5-4О Ддеяеюлк г.аское свйг южео50-5. Прк jZ3,rt T-OBaieHH}i н работе реайс-1-оров 1ЩННЫЙ ревнс-хавный латериап не образует допа: л эльных joa sraecsKS соединений, йяяшояаих пе с абняьаостъ здектргчшзичесKES с ойсть элек онроводящего элемента, Это свойство реазстийного материала поэвсшает легко управлять электрическими характернетЕкамЕ изготовяйемых резисторов, что весььй важЕо при их серийном произзадс-гве. Пример 1. IrsS JAg-jNiSS С ярота вяение ( - ) О,3-1,О Ом; ТКС (0,,9) 10 град Пример 2, ItiSjAg-Ni Ir Sij S Сопрочгйвлеаае ( М }1.,,ОМОм; ТКС (1,3-1,8) 1о град СУЛ1ФВД данка в данньга нрямераж легнровен серебром и никелем. Результатм испытаний показали, что ре аасторы, выполненные из предагагаемоего ма- териала, имеют диапазон аоманалов сонро- j® тасвления от 0,3-1,0 Ом до МОм ж ТКС в пределах (0,8-2,5) 1О градГ Таким образом, по электрическим параметрам в характеристажам предлагаемый ре- |5 зистивный материал значительно лучше известтаых. Кроме того, компоненты данного резистивного 14атериала сравнитепывЕО дешевы и доступны при массовом производстве резисторов.п S2bi ee 4 Формула наобретенвя РезЕстнвнын материал, содержащий легшованный сульфид цинка, тугоплавкое сое диэяек-фшеское связуюжее, о т л -л ч а ю ж и и с я тем. что, с цепью получения щ}11 шоагционных резисторов с ннэКЕМ температурным коэффициентом сопротавления и широким диапазоном номиналов, в качестве тутч плавкого соединения взят днснлицнд циркония и указанные компоненты взяты а следующем соотнсииенвв, об, %: Легированный сульфид цинка 44 - 56 Дисипидид циркония ( ZP Si ) 5 -4О Диэлектрическое связующее5О 5. Источники иЕформаяви, принятие во внимание при экспертизе: 1. Авт. ев, № 355671, кл, HOIC 7/ОО 2, Авт. св. № 372582, кл. НО 1C 7/О6 (npOTwran).