Изобретение относится к области радиоэлектроники.
Известны резистивные композиции, содержащие токоироводящую фазу и связующее на основе боробариевого стекла.
Однако известные резисторы обладают низкой теплостойкостью (до + 160°С), низкой влагостойкостью (коэффициент увлажнения 7%)и значительным ТКС (до
- .-i).
С целью расширения щкалы номиналов соиротивлений, уменьшения температурного коэффициента сопротивлений и повышения их термостойкости и стабильности в предлагаемом объемном резисторе в качестве токопроводящей фазы используются сложный тугоплавкий силицид Т1о,5Сго,б512 исиликатно-боробариевая стеклосвязка.
Предлагаемый резистор объемного типа изготовлен в габаритах резистора СПО-0,5 вт методом горячего прессования при температуре +; 900°С в слабо восстановительной среде. В качестве резистивного материала в нем применен сложный тугоплавкий силицид Tio,5 Cro.sSia, а в качестве связующей фазы в нем применено стекло состава, вес. %: SiOo 4,3, В2Оз 18,6, БаО 77,1, так как силикатноборо-СБинцовая стеклосвязка не дает удовлетворительных результатов в сочетании со сложными тугоплавкими силицидом титанхром-кремний. Предлагаемая стеклосвязка обладает лучшей смачиваемостью при контакте с частицами токопроводящей фазы. Кроме того, в ней отсутствует процесс, связаниый с восстановлением ионов свинца.
Содерлсание резистивного материала в композиции составляет 80-50 вес. %, остальное, до 100 вес. % - стеклосвязка.
Резистор на основе указанных материалов обладает повып1енной теплостойкостью (до -|-300°С), значительной влагостойкостью (коэффициент увлажнения меньше Зо/о). Темнературный коэффициент электрического сопротивления в интервале О-180°С не превышает - .
Диапазоп полученных номинальных величин электросопротивления колеблется соответственно от 20 до 150 ом.
20
Предмет изобретения
1. Резистивная композиция, содержащая токопроводящую фазу и связующее на основе боро-барпевого стекла, отличающаяся тем, что,
с целью расширения шкалы номиналов сопротивлений, уменьшения темнературного коэффициента сопротивлений и повышения их термостойкости и стабильности, в качестве токопроводящей фазы используется титано32.Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что исходные компоненты взяты в следующих соотношениях, вес. %: силицид 50-80, связка до 100. 3.Композиция по пп. 1 и 2, отличающаяся5 тем, что исходные компоненты силицида взяты в следующих соотношениях, вес. %: 4 титан 10-40, хром 10-40, кремний 35-55. 4. Композиция по ип. 1 и 2, отличающаяся тем, что исходные компоненты стеклосвязки взяты в следующих соотношениях, вес. %: окись бария 14-36, окись бора 4-15, окись кремния 1 - 10, от общего веса резистивной композиции.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МАТЕРИАЛ ДЛЯ НЕПРОВОЛОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1971 |
|
SU317113A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU347811A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1971 |
|
SU313225A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1971 |
|
SU313227A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1972 |
|
SU347812A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1972 |
|
SU347807A1 |
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU434485A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1971 |
|
SU303660A1 |
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ РУТЕНИЙСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ | 1992 |
|
RU2026578C1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1971 |
|
SU302756A1 |
Даты
1971-01-01—Публикация