СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВУЮ ПЛАСТИНУ Советский патент 1972 года по МПК H01L21/203 

Изобретение может быть нспользованО Ё электронной |нр0мышленно.сти, в частности, при изготовлении лолупроводниковъьх нрибОров и ИНтегралыных схем.

Известен оиособ форлмрования ошшеских контактов к ди.ффузиониы.м обл.астя.м нлНнарных лолупрОгВОдпико.вых приборов и и.нтегральных схем, при .котором носле диффузии в слое окисла на полупроводнико.вой нласти.не вскрывают окна в тех областях, где должны быть сформированы ОМ.ические контакты. На нластилу на.пыленис.у IB вакууме наносят топкую пленку металла (нанри.мер, золота или алюминия), металлизированные нластиньЕ |Иокрывают фоторсзистом, э.кспо.иируют через фото1Н1аблон с соответствуюнл,н.м рисунком, проявляют и траВлен1ие,м удаляют металл с участков, не |По.крытых фоторезистов. Затем металл вжигают в кремниевую поверхность нуте-м нагрСВа до температуры образовани.я эвтекти1ки для получения низкого сопротивления контакта.

Недостатком известного способа является трудоемкость фотолитографического трашлепня. Кроме того, точечные дефекты в слое окисла, образую1Щ.иеся при о бработке фоторезистом, снижают качество приборов, сиабженных удлиненными металлизированными конта стами с перекрытие слоя Окисл а, так

kilK после вжигания металла соседние .л/1и))фузион.ные области могут оказаться закороченными.

Целью изО|бретения является снижение трудоемкости. лр01цесса изготовления о.мпческнх ко.нтакто,в н улучн1ен|Ие качества контакта.

Сущ-ность предлол енно.го способа за1ключается в селективно-м осаждении металла на полу.ироводнн,к только на окнах путем напыления металла в вакууме на полупроводниковую пластину, нагретую до темнературы, выше критической темнературы осаждопаи napoiB этого мсгалла на кремннй.

Известно, что нри температуре подложки выше критической, ато-мы исна)еи11ого металла нрн напыленпи .в вакууме полностью отражаются от поверхности подложки. Критическая тсмнер-атура зависит в осповпом oi свойств испаряе1мого металла и подложки. При осаждеиии паров металла на поле|1хность аморфного материала критическая температура 3|На-;тельно ниже,, чем при осаждении иаров того же мета.1ла на кристаллическую новерХность, что объясняется разными энергетическИМи состояннями этих иоверхностей. Например, крит.пческие температуры для паров золота и алюминия прп напылении на двуокись кремния составляют

соответственно 600 и 750°С, в то время как на кремний - выше 1000°С.

В соответствии с предложенным способе, крем.ниевые пластины с полупроводнатео.выми приборами после проведения диффузии и вскрытия окон в окиСле в тех местах, где должны быть сформированы омнческис контакты, поМещают в камеру .вакуумного напыления. Пласт.нны нагревают до температуры, несколько выше критической температуры осаждения napOiB данното металла на окисел, и напылением на нагретые пластины осаждают испаряемый А1еталл только на полупр0 водниковую пластину в окнах.

Создание омических к0 нтактов предложенным способом позБоляет исключить фотолитографическое травление металлического слоя для получения контактов требуемой формы. Конфигурация металлических контактов определяется формой окон в окисле. Исключается также операция вжигання металла в кре-мний, так ка,к одновременно с осаждением металла на происходит вжигание его (температура пластины при осаждении выше температуры образования эвтектики).

В случае применения удлиненных нроводящн.х дорожек, .перекры.ва,юн1их окисел, для предотвращения закорачивания соседн.их диффузионных областей через точечные дефекты в окисле при вжигании металла и

о.беспечения качественного контакта первоначально проводят селективное осаждение (а следовательно, и вжигатие) металла на кремний в окнах. Таким образом обеспечиБается низкое сопротивление контакта и устраняется закорачивание при наличии металлических дорожек на окисле, так как отпадает необходимость в дальнейшей высокотемпературной обработке. После селективного нанесения металла снижают температуру пластины, напыляют Металл на всю поверхность пластины и проводят фотолитографическое травление напыленного слоя для получения проводящих дорожек требуемой

конфигурации.

Предмет изобретения

Способ селективного нанесения металла на полупроводниковую пластину, поверхность

которой покрыта окислом с окнами в местах на:несения металла, путем напыления металла в вакууме на нагретую полупроводниковую пластину, отличающийся те,м, что, с целью снижения трудоемкости и улучшения

качества контакта металла с полупроводником, напыление металла осуществляют при температуре полупроводниковой, пластины, выше критической, температуры осаждения паров металла на окиоел и ниже критической температуры осаждения наров металла на полунрО водник.