Изобретение относится к области технологии радиоэлементов.
Известен резистивный материал для тонкопленочных резисторов на основе металла, карбида металла и газа.
Цель изобретения - уменьшение ТКС материала, расширение диапазона номиналов резисторов и повышение надежности их работы.
Поставленная цель достигается тем, что материал состоит из смеси или твердого раствора тантала, карбида тантала и несвязанного азота при следующем соотношении исходных компонентов, вес. %:
Карбид тантала58-94
Тантал3-40
Несвязанный азот2- 3
Ниже приводится пример образования резистивной пленки из предлагаемого материа.ла на диэлектрическом основании.
Образование резистивной пленки на диэлектрическом основании из керамики, стекла, ситалла и других материалов осуществляется путем плазменного напыления тантала (3- 40 вес. %) в среде из смеси, например, азота и углеводородов. Термическое плазменное пыление тантала ведется на подогретую до температуры 400-700°С подложку, при этом наряду с танталом осаждается карбид тантала (58-94 вес. %), образованный в газовой фазе за счет реакции паров тантала с углеродсодержащими парами.
Осуществление процесса в азотосодержащей среде позволяет также насыщать покрытие несвязанным азотом (2-3 вес. %), изменяющим в нужную сторону электросопротивление покрытия.
Образование резистивной пленки с малым ТКС и с широким диапазоном номиналов возможно благодаря малому ТКС карбида тантала (от 10-4 до IQ-c град-i) и высокому удельному сопротивлению, мало меняющемуся в диапазоне температур 20-1000°С. Содержание резистивным покрытием несвязанного растворенного в тантале азота также позволяет уменьшить ТКС и расщирить диапазон номиналов резисторов.
Предмет изобретения
Резистивный материал для тонкопленочных резисторов на основе металла, карбида металла и газа, отличающийся тем, что, с целью уменьщения температурного коэффициента сопротивления, расширения диапазона номиналов резисторов и повышения надежности их работы, указанный материал состоит из смеси или твердого раствора тантала, карбида тантала и несвязанного азота при следующем соотношении исходных компонентов, вес. %:
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Материал для низкоомных тонкопленочных резисторов | 1981 |
|
SU1056281A1 |
Способ изготовления многослойных тонкопленочных резисторов | 1982 |
|
SU1115113A1 |
Резистивный материал | 1980 |
|
SU894804A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1998 |
|
RU2145744C1 |
Материал для низкоомных тонкопленочных резисторов | 1981 |
|
SU1014045A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СОСТАВ ПАСТЫ ДЛЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА | 2016 |
|
RU2658644C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2000 |
|
RU2207644C2 |
Способ изготовления тонкопленочного резистора | 2018 |
|
RU2700592C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТНОЙ ПЛОЩАДКИ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МИКРОСХЕМЫ | 2002 |
|
RU2231237C2 |
Резистивный материал | 1974 |
|
SU517054A1 |
Даты
1972-01-01—Публикация