Резистивный материал Советский патент 1981 года по МПК H01C7/00 

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к электронной тех нике, в частности к резисторостроению, и мо жет быть применено в качестве проводящего слоя для тонкопленочных резисторов и для элементов схем, полученных методом ионноплазменного напыления. Известны резистивные материалы на основе тугоплавких металлов и их соединений, применяемые для получения тонких пленок методом ионно-плазменного напыления, например,Gr-Si, Gr-SiO2 1. Недостатком резистивных пленок, полученных из этих материалов, является высокий ТКС (температурный коэффигдаент сопротивления) (±3000-5000-10 /° С) и плохая воспроизводимость результатов. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является сплав 2 хром кремния и вольфрама, которьгй содержит, вес.% Хром52-60 Кремний34-47 Вольфрам1-6 Недостатком известного резистивного материала является малый /шаиазон номиналов И высокий ТКС получаемых резистивных пленок: тонкопленочньге . резисторы имеют ТКС до + 180010 1/°С и удельное электросопротивление до 50 Ом/п. Цель изобретения - расширение диапазона значений удельного сопротивления и снижения температурного коэффициента сопротивления. Поставленная цель достигается тем, что в резистивный материал, состоящий из хрома, вольфрама и кремния, дополнительно введена двуокись марганца, при следующем соотношении компонентов, вес.%: Вольфрам Кремний Двуокись 2-30 марганца Остальное Введение в известный резистивный материал двуокиси марганца позволяет снизить ТКС получаемых резистивных пленок, расширить диапазон их удельных сопротивлений, сохранить во всем диапазоне высокую стабильность их свойств во времени при температуре окружающей среды до + 200° С.

Кроме того, введение MuOj способствует стеклообразованию, что позволяет получать более прочные MHUjeHH для ионно-плазменного напыления.

8948044

Пример. Для получения мишеней готовят 4 порошкообразные смеси, содержащие исходные компоненты в количествах (вес.%), приведенных в табл. 1.

Таблица 1