Изобретение относится к топкопле.ночным конденсаторам, используемым в электронной технике лри производстве гибридных интегральных схем.
Известны тонкопленочные конденсаторы системы металл-диэлектрнк металл, в которых в качестве диэлектрика используют фториды кальния, магния и других элементов II группы периодической системы элементов. Такие конденсаторы имеют невысокую удельную емкость, низкую электрическую прочность и сравнительно большие диэлектрические потери.
В целях повышения удельной емкости и электрической ирочности и снижения диэлеКтрических потерь в предлагаемом конденсаторе в качестве материала диэлектрика используют двойные бораты редкоземельных элементов и элементы II группы периодической системы.
Пр-имер 1. Для изготовления тонкопленоч гых конденсаторов в качестве диэлектрика ислользуют двойной борат лантана с кальцием Ьа2Саз(ВОз)4 стехиометрического состава, получеиный методом высокотемпературного спекания или из расплава.
стивного таиталового (вольфрамового) испарителя при темнературе испарения 1200- 1400° С и температуре подложки 150° С.
Полученный тонкопленочный конденсатор с алюминиевыми электродами имеет при толщино диэлектрика 3000-4000 А удельную емкость 27000-30000 пф/см, тангенс диэлектрических потерь 0,009-0,01 и пробивное напряжение 100 и.
П р и М ер 2. Для изготовлеиия тонкопленочного конденсатора в качестве диэлектрика используют двойной борат лантана со стро)1цием 11а25гз(ВОз)4 стехиометрического состава, нолученный методом высокотемнературного спекания или из расплава.
Напыление диэлектрического слоя из двойного бората лантана со cTpoFuuieM нропзводят KaFv в нримере 1. Полученный тонкопленочный конденсатор с алюминиевыми электродами
имеет при толиип е диэлектрика 1100 А удельиую емкость 70000 пф/см-, тангенс диэлектрических нотерь 0,003 и пробивное напряжение 25 в.
Таким образом, иредлагаемый конденсатор имеет сравнительно высокую удельную емкость (до 70000 пф/см-) и существенно меньший тангенс диэлектрических иотерь (до 0,003). 3 Предмет изобретения Тонколленочный конденсатор постоянной емкости, выполненный па основе системы металл-диэлектрик-металл, отличающийся тем, 5 что, с целью повышения удельной емкости и 4 электрической прочности и снижения диэлектрических иотерь, в качестве материала диэлектрика используют двойные бораты редкоземельиых элементов с ялементами II грунны периодической системы,
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР:jCEQc:vOSH/'t«Tili?.JtXHH'^--•J^БЛ^«V^^;^^^-, | 1973 |
|
SU374668A1 |
Способ изготовления тонкопленочного конденсатора электронной техники | 2022 |
|
RU2799811C1 |
Тонкопленочный конденсатор | 1979 |
|
SU898524A1 |
Способ изготовления тонкопленочных конденсаторов | 1973 |
|
SU450246A1 |
Способ изготовления стеклокерамических конденсаторов с алюминиевыми электродами | 1979 |
|
SU928431A1 |
Способ получения покрытия на подложке | 1990 |
|
SU1758678A1 |
ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО | 1971 |
|
SU293274A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-КОНДЕНСАТОРОВ | 1989 |
|
SU1752139A1 |
ТАНТАЛОВЫЙ ПОРОШОК ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРОВ С ТВЕРДЫМ ЭЛЕКТРОЛИТОМ | 2005 |
|
RU2414990C2 |
Способ изготовления тонкопленочного конденсатора | 1983 |
|
SU1104595A1 |
Авторы
Даты
1972-01-01—Публикация