ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ КОНДЕНСАТОР:jCEQc:vOSH/'t«Tili?.JtXHH'^--•J^БЛ^«V^^;^^^-, Советский патент 1973 года по МПК H01G4/20 

1

Изобретение относится к области технологии производства радиодеталей и может быть использовано для изготовления тонкопленочных конденсаторов гибридных интегральных схем.

Известен тонкопленочный конденсатор постоянной емкости, в котором диэлектрический слой вылолнен из материала, содержащего соединения бора.

В предлагаемом конденсаторе в качестве материала диэлектрического слоя используют бораты редкоземельных элементов.. Это позволяет повысить удельную емкость, электрическую прочность и снизить диэлектрические потери.

Для изготовления тонкопленочных конденсаторов в качестве диэлектрика используют борат Эрбия (ЕгВоз) стехиометрического состава, полученный методом спекания или из расплава.

Напыление диэлектрического слоя из ЕгВоз тонкоплеиочного конденсатора, проводят методом вакуумно-термического испарения (2-10- торр) из резистивного танбалового (вольфрамового) испаритеЛЯ при температуре испарения 1200-1400°С в течение 5 мин. Температура подложки при напылении 150°С.

Полученный тонкопленочный конденсатор с алюминиевыми электродами имел при толщи«е диэлектрика 400-600 А удельную емкость Суд 160.000-210.000 пф/см, тангенс угла диэлектрических потерь ,01-0,009 и пробивное напряжение f/np 15 в.

Тонкопленочный конденсатор с алюминиевыми электродами, у которого в качестве диэлектрика исп.ол.ьзован барат неодима (NdBos), имел при толщине диэлектрика

800-1000 А удельную емкость Суд 47000- 50000 пф/см и тангенс угла диэлектрических потерь ,005, пробивное напряжение t/np 30 в.

Таким образом, предлагаемый тонкопленочный конденсатор с диэлектриком на основе боратов редкоземельных элементов имеет по сравнению с известными конденсаторами улучшенные электрофизические характеристики: сравнительно высокую удельную емкость (до 200.000 пф/см) и существенно меньший тангенс угла диэлектрических потерь tg6 (до 0,005), при этом увеличивается воспроизводимость его параметров.

Предмет изобретения

Тонкопленочный конденсатор постоянной ем:кости, в котором диэлектрический слой выполнен из материала, содержащего соеди3нение бора, отличающийся тем, что, с целью поаышенИЯ удельной емкости, электрической п.рочности и снижения диэлектрических по4терь, в качестве ма.териала диэлектрического слоя используют бораты редкоземельных элементов.