ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ «И—НЕ>&: Советский патент 1972 года по МПК H03K19/88 

Изоб|ретёНИе относится к .области цифровой те.хникн.

Известен логический элемент «И-НЕ, содержащий входной .млогоэмяттерный транзистор, соединенный коллектором -с змиттером дополнительного транзистора другого типа проводимости и инвертор.

Недостатком такого элемента является изменение его входных пороговых «апряжеиий с из .м-енением тбмпе(р:ату|ры.

Целью изобрете.ния является увеличение тбрмостабильности эле;.мента. Это достигается тем, что дополнительный транзистор соедииен коллектором со выходом инвертора, а -базой с выходом резистивного делителя, который через последовательно соедиианщые диоды подключен к шине И СтоЧЛ Ика питания.

На чертеже приведена электрическая схема логического элемента «И-НЕ.

Элеме нт состоит из логической части /, выполияющей фун:кцию Н, собранной на миогоэмиттернсм транзисторе 2 « резисторе 5; сложного инвертора 4, тра1нзистор.а 5 .противоположного типа проводимости (р-га-р); делителя на резисторах 6 и 7, который через -несколько диодов 8 подключен .к источнику иитания, и резистора 9, обеспечивающего цепь тока у|течк,и.

низкий уровень напряжения (логический «О), транзистор 2 .на:ходится в пасыщенни и потенциал коллектора выще потенциала элгиттера на величину напряжения насыщения транзистора. Делителем напряжения, состоящим из резисторов 6 и 7, потенциал базы транзистора 5 выбирается таким ,чтобы ело элгатторный пер-еход был смещен в обратно.м .направлении. В этом режиме транзистор 5|находится в отсечке

и ко входу инвертора 4 лриложвн низкий уровень папряжения. Йа выходе .инверхо.ра 4 .обеспечивается высокий уровень «апряж-ения (логическая «1).

Если иа всех входах схемы повыщать напряжение, то пропорционально повышается напряжение ,на коллекторе тр,анзистора 2 « на эмиттере т|раизистора 5. При Некото.рой его величине (порог выключения) транз.истор 5 начинает открываться и в его коллекторной цепи

потечет ток, кото.рый в некоторый :мо1мент обеспечивает падение напряжения на резисторе Я необходимое для лолного открывания инвертора 4 (порог включения). На вьгходе инвертора устанавливается низкий уровень -напряжения

(логический «О).

Зависимость порогов включения .и выключения от темпер.атуры в основном определяется зависимостью .напряжений иа переходах транзисторов 2 и 5 и диодах 8. Меняя количество

управлять на-правленяем температурной зависимости по.рОговых |Н,апряжений и ее велйчи«ой.

П рбДм етИЗОб рете н и я

Логический элемент , оодержащвй входной 1многоэ,миттер.ный транзистор, соединенный коллектором с эмиттером доюолнитель«ого транзистора другото типа проводимости, инвертор, отличающийся тем, что, с целью увеличения тармостабильности, :в йем допол нительный т.ранзист0|р соединен коллектором со входом И1нвертора, & базой с выходом peaMCTHBного делителя, который через последовательно соединенные диоды подключен к шине источника питания.

Г