ГРАБИТЕЛЬ ДЛЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК ОЛОВА Советский патент 1973 года по МПК H05K3/06 C09K13/06 

1

Изобретение относится к технологии производства -радиодеталей и может быть -использовано при изготовлении гибридных пленочных микросхем.

Известен травитель для избирательного травления пленок олова, нанесенных на полимерный материал и защищенных слоем фоторезиста в соответствии с получаемым рисунком, содержащий смесь азотной, соляной и уксусной кислот с .водой.

Однако травление пленок -олова в -концентрированных кислотах приводит к интенсивному разрушению как полимерного материала, так и фоторезиста, защищающего пленки олова в процессе травления.

Целью изобретения является сохранение полимерного материала и фоторезиста -в процессе травления.

Для этого в тра-витель Дополнительно введен азотнокислый натрий и глицерин при следующем соотнощении компонентов, в вес. 7о: Азотная кислота (уд. вес 1,41) 3-6 Соляная кислота (уд. вес 1,18) 5-9 Уксусная кислота (ледяная) 20-31 Вода (дистиллированная)10-19

Азотнокислый натрий3-6

ГлицеринОстальное

Наличие глицерина в предложенном травителе исключает смачивание травителем полимерного материала в процессе избирательного травления элементов м-икросхем, выполненных из пленок олова, например верхних обкладо:К пленочных конденсаторов, что позволяет .изготавливать их методом фотолитографии без нарушения слоя полимера.

Азотнокислый натрий, входящий Е состав травителя, увеличивает устойчивость фоторезиста в процессе травления пленки олова без предварительной термической обработки (дубления) фоторезиста при высоких температурах. Соотношение кислот подобрано таким образом, чтобы получить высокие скороО

сти травления (6000 А/мин при температуре 20°С) с минимальным боковым подтравливанием.

Изобретение поясняется следующим примером.

На ситалловую подложку напыляют слои

о

никеля толщиной 4000-6000 А. Затем методом фотолитографии изготавливают нижние обкладки кислотных конденсаторов. На нижние обкладки из никеля напыляют полимер на основе силикона в тлеющем -разряде при полимеризации мономера гекта.метилдисилоксао

:на толщиной 5000 А. Затем на пленку полимера напыляют олово толщиной 6000 А и наносят фоторезист ФП-334 на центрифуге при скорости вращения 1200-1400 об/мин. Высушивают при температуре 95-ЮО С в течение 15-20 мин, экспонируют и проявляют.

Подготовленную таким образом подложку

помещают в травитель следующего состава:

Азотная кислота 1,41 уд. вес 4 мл

Соляная кислота 1,48 уд. вес 7 мл

Уксусная кислота (ледяная) 23 мл

Азотнокислый натрий5 гр

Глицерин47 мл

Вода (дистиллирован-ная)14 мл

и вытравливают рисунок верхних обкладок

пленочных конденсаторов.

Окончание процесса травления фиксируют визуально. .Скорость травления пленок олова в травителе приведенного состава составляет

о

6000 А/мин при температуре-20°С. После отмывки -подложки в дистиллированаой воде производят удаление фоторезиста в ацетоне, диоксане или других органических растворителях.

Предмет изобретения

Травитель для -избирательного травления пленок олова, нанесенных .на полимерный материал и защищенных слоем фоторезиста в соответствии с получаемым р-ису-нком, содержащий смесь азотной, соляной и уксусной кислот с водой, отличающийся тем, что, с целью сохранения полимерного материала я фоторезиста в процессе травления, травитель дополнительно содержит азотнокислый натрий и глицерин пр-и следующем соотношении компонентов, в вес. %

Азотная кислота (уд. вес 1,41) 3-6 . Соляная кислота (уд. вес 1,18) 5-9 Уксусная кислота (ледяиая) 20-31 Вода (дистиллированная)10-19

Азотнокислый натрий3-6

Глицерин

Остальное