ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТЕКЛОКЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА12 Советский патент 1973 года по МПК C03C10/00 

Изобретение может быть использовано в качестве диэлектрика конденсаторов для интегральных гибридных микросхем.

Известны высокочастотные стеклокерамические конденсаторные материалы, включаюЩ|Ие керамику и стеклосвязку.

Диэлектрическая проницаемость существующих стеклокерамических материалов не П)ревьгщает 43, а температурный .коэффициент диэлектрИЧеокой .проводимости ограничен значениями +30.106 °С1, -47.105°Ci и -330.10«°С.

Цель изобретения - повысить удельную емкость конденсатора.

Достигается это тем, что указанные компоненты взяты в следующих количествах,

вес.

70-75

Керамика

Стеклосвязка25-30,

причем используют керамику Т-500 следующего состава, вес. %:

Строиций-висмутовый

5тнтанат90-98

Титаиат кальция2-10,

а стеклосвязку следующего состава, вес. % РЬО74-78

ВЮз16-20

10SiOz4-8

Соотнощение компонентов в стронций-висмутовом титанате бе;рут, вес. %:

Титаяат стронция88-95

Титанат висмута5-12

15 Изобретение может быть проиллюстрировано конкретным примером предлагаемого материала, обладающим следующими свойствами (табл.).

Таблица

Предмет изобретения

1. Шихта для изготовления стеклокерамического конденсаторного материала, включающая керамику и стеклосвязку, отличающаяся тем, что, с целью повышения удельной емкости конденсатора, она содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес. %: Ке1рамика70-75

Стеклосвязка25-30

2. Шихта по п. 1, отличающаяся керамика имеет состав, вес. %: Строиций-висмутовый

титалат90-

Титанат кальция2-

а Стеклосвязка содержит, вес. %:

РЬО74-

В2Оз16-

SiOa4-