РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ Советский патент 1973 года по МПК H01C7/06 

Изобретение относится к области резисторостроения, в частности к технологии получения резистивных материалов для изготовления объемных резистивных. Известен резистивный материал на основе полупроводниковых проводящих веществ, характеризующийся относительно высоким ТКС (например, для резисторов типа ТВО ТКС составляет величину порядка 8-10- град) и невозможностью на одном виде материала получать резисторы широкого диапазона номиналов. Целью изобретения является возможность изготовления резисторов в широком диапазоне номиналов и уменьшение температурного коэффициента сопротивления. Достигается это тем, что резистивный материал имеет зернистую структуру, зерна которой вынолпены в виде кристалла проводящего вещества, заключенного в кристаллическую пленку полупроводникового вещества. При получении сернистого циика, содержащего внутри кристаллов частицы металла или сплава, металлический порошок в мелиодисперсной форме (размер частиц меньше 1-2 мк) вводится в водяной раствор сернокислого цинка в виде взвеси. Затем к этому раствору добавляется высаживающий раствор сернистого натрия или сернистого водорода. При этом частички металла или сплава, являясь центрами кристаллизации сернистого цинка, заращиваются но всей поверхностп кристаллической пленкой сернистого цинка. Другим примером использования изобретения является изготовление резистивного материала па основе норошка вольфрама и двуокиси олова. На подогретый до 600-650°С противень насыпается порошок вольфрама и выдерживается до достижения им указанной температуры. Далее на перемешиваемый порошок вольфрама с помощью пульверизатора напыляется спиртовой раствор SnCU. В результате гидролиза, протекающего по схеме: SnCU + 2Н2О - SnOa + 4НС1 на поверхностн частиц осаладается SnOj, являющаяся полупроводниковой илеико). Последуюихая иромывка полученного порошка в /чистиллированиой воде н сннрте, а также сушка позволяет использовать его для изготовления резисторов. Объемные резисторы, -изготовленные из описанного материала (вольфрам-двуокись олова), характеризуются ТКС, величина которого в интервале температур 18-250°С, составила 1,5-3,10- град а э. д. с. шумов 0,2-0,3 мкв/в. 3 Предмет изобретения Резнстивный материал, например, для изготовления объемных резисторов на основе полупроводниковых проводящих веществ, отличающийся тем, что, с целью обеспеченияs возможности изготовления резисторов в шн 4 роком диапазоне номиналов и уменьшения температурного коэффициента сонротивления, он имеет зернистую структуру, зерна которой выполнены в виде кристалла проводящего вещества, заключенного в кристаллическую пленку полупроводникового вен;ества.