СОСТАВ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ Советский патент 1973 года по МПК H01L21/47 H01L31/00 

1

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности, к технике герметизации пластмассами полупроводниковых приборов.

Полупроводниковые приборы выпускают в различных корпусах или в бескорпусном исполнении. PIsBecTHbi составы для герметизации полупроводниковых приборов на основе эпоксидных, кремнийорганических, полиуретановых и других соединений, используемые для изготовления широкого ряда полупроводниковых приборов в пластмассовых корпусах.

Однако кремнийорганическне соединения имеют низкую механическую прочность, известные составы на основе эпоксидов недостаточно термостойки (до 125-150°С) и имеют высокие значения диэлектрических потерь. Поэтому такие составы не могут быть применены для герметизации приборов, работающих в ВЧ и СВЧ диапазонах длин волп. В связи с этим ВЧ и СВЧ приборы классическими методами герметизируют в металлокерамические корпуса без применения пластмасс.

Цель изобретения - разработка состава для герметизации полупроводниковых приборов, в частности ВЧ и СВЧ диодов, обеспечивающего возможность работы прибора при повыщенных температурах (до 180°С) и влажности с малыми диэлектрическими потерями (менее 0,01) на СВЧ.

Цель достигается тем, что для герметизации применяют состав на основе эпоксициануровой смолы (ЭЦД), ангидридного отвердителя и минерального наполнителя.

Смола ЭЦД-термостойкая эпоксидная смола на основе дпануровой кислоты и эпихлоргидрина. Сочетание термостойкой смолы ЭЦД и отвердителя - метилтетрагидрофталевого ангидрида (МТГФА)-обеспечивает термостойкость (до 180°С) компаунда.

При отверждении состава в течение 2 час при 100°С, 2 час при 120°С, 2 час при 150°С и

3 час при 180°С образуется плотная стекловидная пластмасса, обладающая рядом ценных свойств: на частоте 10 гц тангенс угла диэлектрически.х потерь равен 0,011, диэлектрическая постоянная 2,8; потеря первоначального веса образцов при выдержке 720 час при 200°С составляет 1,8%.

Разветвленная структура МТГФА способствует образованию поперечных сшпвок, что поBbiniaeT влагостойкость компаунда. В качестве наполнителя используют нитрид бора высокой чистоты.

Предлагаемый состав имеет следующее соотношение компонентов, вес. ч.: смола ЭПД 100-105, МТГФА 90-95, нитрид бора (наполнитель) 95-200.

Состав приготавляют следующим образом.

Готовят навески смолы ЭЦД и отвердителя МТГФА с последующим подогревом смолы до 85°С и расплавлением отвердителя МТГФА при 100°С. Отвешивают какой-либо наполнитель, например нитрид бора. Расплав отвердителя тщательно перемещивают со смолой, в приготовленную смесь добавляют наполнитель и также тщательно перемешивают. Полученный состав вакуумируют при 85°С и разрежении 10-1 мм рт. ст. в течение 10-15 м.ин, после чего состав готов к использованию.

Испытание предлагаемого состава на СВЧ диодах показывает его применимость для

целей герметизации полупроводниковых ВЧ и СВЧ приборов.

Предмет изобретения

Состав для герметизации полупроводниковых приборов на основе эпоксидной смолы в сочетании с ангидридным отвердителем и минеральным на-полнителем, отличающийс я тем, что, с целью повышения термостойкости, влагостойкости и уменьшения диэлектрических потерь приборов на СВЧ, он содержит следующие компоненты, вес. ч.: эпоксициануровая смола 100-105, метилтетрагидрофталевый ангидрид 90-95, нитрид бора 95-200.