1
Изобретение относится к тепловым экранам, работающил при высокой температуре в вакууме или в .инертной среде.
Известный тепловой экран, изготовленный из графита, имеет высокий коэффициент излучения и относительно высокую скорость испарения графита, ограничивающую срок его службы.
Цель изобретения - увеличить срок службы экрана.
Это достигается тем, что экран изготовлен из карбида тугоплавких .материалов.
Экра.н помещают в засыпку из окисла карбидообразующего металла и подвергают отжигу в вакууме .или и.нертной среде.
В результате реакции восстановления углеродо.м окисла металла образуется слой карбида, .причем рост слоя происходит вглубь графита, т. е. 1)сходные размеры заготовки экрана не изменяются.
В качестве при.мера был изготовлен экран из графита марки АРВ, покрытого слоем карбида тантала по указанному выше способу.
10
Предмет изобретения
Тепловой экран, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы экрана, он выполнен из карбида тугоплавких материалов.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Электрод для дуговых процессов в активных газовых средах | 1982 |
|
SU1082595A1 |
Катодно-подогревательный узел | 1988 |
|
SU1544084A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА | 2004 |
|
RU2261296C1 |
Способ двухслойной футеровки печей для электротермического восстановления металлов | 1939 |
|
SU59287A1 |
ИСПАРИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙВ ВАКУУМЕ | 1972 |
|
SU360409A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC | 2016 |
|
RU2621767C1 |
ЖАРОСТОЙКИЙ МАТЕРИАЛ | 2000 |
|
RU2178958C2 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2002 |
|
RU2202657C1 |
ДЕТАЛЬ ДЛЯ РАЗЛИВКИ СТАЛИ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1995 |
|
RU2146186C1 |
ВСЕСОЮЗНАЯ ПА'ПОТНО-ТЕйН | 1973 |
|
SU376825A1 |
Авторы
Даты
1973-01-01—Публикация