МТЕйТй^чгхвДЧЕОНД! {^^-ВЛгг^ТЕНЛ Советский патент 1973 года по МПК G01N25/58 

1

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и веществ высокой чистоты, к процессам, для проведения которых необходима атмосфера водорода с минимальным содержанием кислорода и влаги.

Известен способ определения концентрации влаги в водороде путем нагрева в анализируемой среде индикаторного образца, выполненного в виде циркониевой проволоки.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что но длине индикаторного образца создают температурный градиент в интервале температур 900-1400°С и по положению границы раздела исходный материал - окисел судят о концентрации влаги в водороде.

Это позволяет ускорить процесс определения концентрации влаги в водороде и повысить точность анализа.

Сущность способа заключается в следующем.

Индикаторный образец изготовляют из кремния и располагают на нагревателе таким образом, чтобы при нагреве по его длине устанавливался температурный градиент интервала 900-1400°С.

Далее через систему пропускают водород, предварительпо очищенный от примесей. Затем следует нагрев в течение 5-15 мин. При

высоких температурах нагрева происходит взаимодействие кремниевого образца с парами воды, причем более горячая часть образца травится вследствие образования летучей моноокисн кремния SiO, а более холодная покрывается конденсированной пленкой двуокиси кремния SiO2. В результате после охлаждения на поверхности- образца обнаруживают границу между травленным и окисленным )часткамп. Положение этой границы в температурном градиенте однозначно определяет концентрацию воды в водороде при неизменност остальных параметров процесса.

Предмет изобретения

Способ определения концентрации влаги в водороде путем нагрева в анализируемой

среде индикаторного образца, выполненного из материала, способного образовывать конденсированные окислы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности анализа, создают температурный градиент по длине

индикаторного образца, выполненного из кремния, в интервале температур 900-1400°С и по положению границы раздела исходный Материал - окисел судят о концентрации влаги в водороде.