СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА ЦИНК-НИКЕЛЬ Советский патент 1974 года по МПК C25D3/56 

Описание патента на изобретение SU419575A1

1

Изобретение относится к способам электроосаждения сплавов, в частности, сплава цннкн-икель.

Известен способ электроосаждения сплава цинК-пикель из электролита, содержащего окись цинка, хлористый аммоний, борную кислоту и никель хлористый.

Однако этот электролит не позволяет использовать при электроосаждении повышенные плотности тока.

Для интенсификации процесса предлагается способ, по которому в качестве соли цинка используют монофосфат цинка и в электролит вводят серную кислоту, декстрин п глицерип при следующем соотпошении компонентов, г/л:

Монофосфат цинка60-160

Хлористый аммоний100-250

Борная кислота20-30

Соль никеля (в пересчете иа

металл)

0,5--2 Серная кислота 5-10 Декстрин 6-10 Глицерин

0,2-0,5

нри плотности тока 3-7 а/дм, рН 1,8и температуре 18-25°С.

Процесс ведут с цинковыми анодами марки

цо, Ц1.

По описываемому способу получают светлые, хоропю сцепленные с основой осадки сплава с содержанием никеля до 7%.

Микротвердость сплава 190-200 кг/мм. Электролит прост в приготовлении и стабилен в работе.

Способ может быть проиллюстрирован следующими примерами.

Пример 1. Качественные, плотные, прочно сцепленные с основой покрытия сплавом цинк-никель получают из электролита, содержащего, г/л;

Монофосфат цинка

120

Хлористый аммоний 200 30

Борная кислота

Хлористый никель

4,4

Серная кислота 10 10

Декстрин

при температуре 20°С, плотпости тока 7 а/г7.1(2 и рН 2,3.

Пример 2. Светлые, мелкокристаллические осадки сплава цинк-никель получают из электролита, содержащего, г/л:

Монофосфат цинка

80 X л о р и ст ы и а м м о н и ii

120 Борная кислота

20 Сернокислый никель

1,3 Серная кислота

5 Декстрин

6 Глицерин

0,2

54

при температуре 20°C, плотности тока 3 а/дм и глицерин при следующем соотношении рН 1,9.понентов, г/л:

Предмет изобретенияХлористый аммоний100-250

Способ электролитического осажденияСоль никеля (в пересчете на

сплава цинк-никель из элeктpoлитJa, содержа-металл)0,5-2

щего соли цинка и никеля, хлористый аммонийСерная кислота5-10

и борную кислоту, отличающийся тем, что, сДекстрин6-10

целью интенсификации процесса, в качестве 10 Глицерин0,2-0,5

соли цинка используют монофосфат цинка и и процесс ведут при плотности тока 3-7 а/дм, в электролит вводят серную кислоту, декстрин рН 1,8-2,5 и температуре 18-25°С.

419575 l ,

Монофосфат цинка60-160

5 Борная кислота20-30

Похожие патенты SU419575A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА 1973
SU395518A1
СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ЦИНКОВАНИЯ 1971
  • И. Д. Кудр Вцева, Л. А. Липкина, М. Ф. Скалозубов Л. В. Юринска
SU305204A1
ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СПЛАВА ПАЛЛАДИЙ-КОБАЛЬТ 1971
SU433245A1
СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА МЕДЬ —ЦИНК 1972
SU424916A1
Электролит для осаждения покрытий сплавом никель-железо 1985
  • Бубялис Юозас Стасевич
  • Даниляускайте Дария Антановна
  • Мозолис Вацловас Владович
  • Рутавичюс Альбертас Ионович
  • Гладков Николай Михайлович
SU1261974A1
ВСЕСОЮЗНАЯ 1973
  • В. П. Рев Кин, А. Г. Катанаев, В. В. Шефер Э. Е. Бастиани Тюменский Индустриальный Институт
SU374383A1
Электролит для осаждения комбинированных электрохимических покрытий на основе никеля 1980
  • Агеенко Нина Сафроновна
  • Гаврилко Виктор Петрович
  • Жуков Михаил Федорович
  • Корнилов Александр Александрович
SU954530A1
СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА 1971
SU293876A1
СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ЦИНКОВАНИЯ 1970
SU272754A1
ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО ПОКРЫТИЯ ЦИНК-ФТОРОПЛАСТ 2011
  • Балакай Владимир Ильич
  • Мурзенко Ксения Владимировна
  • Бырылов Иван Фадиалович
RU2464363C1

Реферат патента 1974 года СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА ЦИНК-НИКЕЛЬ

Формула изобретения SU 419 575 A1

SU 419 575 A1

Даты

1974-03-15Публикация

1971-12-13Подача