1
Изобретение относ 1тся к новым фотонолимер1 зующ,и.мея растворам, используемым для изготовления печатных пластин, в частности рельефных литографских иластиБ.
Известна пластина, состоящая из подложкм и фотополимернзующегося слоя, содержащего ненасыщенное этиленовое соединение, полиэфиракрилат, например диэтиленгликольдиакрилат, высокоплавкое термопластичное полимерное связующее, например ноливи-нилацеталь, инициатор фотаполимеризации, ингибитор фотополимеризации. Однако печатные пластины с известным фотополимеризующимся слоем обладают небольщой прочностью сцепления и устойчивостью участков изображения к соскабливанию. С одной нласТИ.НЫ .можно получить в среднем 50000 - 60 000 оттисков.
Цель изобретения - получение рельефных литографских пластин, обладающих повышенной устойчивостью к истиранию и износу во время печатного процесса. С одной пластнны можно получить более 300000 оттисков.
Эта цель достигается при использовании пластины, состоящей из подложки и фотополимеризующегося слоя, имеющего вязкость 5-150 спз при температуре 20° С и включающего ненасыщенный сложный полиэфир с точкой пЛавления выще 100° С, молекула которого включает не менее одного звена, состоящего из звена формулы
-fRrO
где RI - алкнленовая группа, содержащая
2-4 атома углерода, X - число от 2 до 100, и звена формулы
о
(CH-:-Vо-с-Кг-с-о-ттИоУ
-(СЕг
vt
пли нафтнленовая группа,
Y - число 2-4,
Z - число 1-10,
W - число 1-4,
н звено, представляющее остаток ненасыщен.ной аикарбоновой кислоты, ненасыщенный мономер с этиленовыми связями в количестве 10-150 вес. ч., считая иа 100 вес. ч. неласыineiiiiiOTO .сложного шолиэф пра, Ппицлатор фотополимернзацим в количестве 0,01-5 вес. ч., считая на 100 вес. ч. ненасыщенного слон ного полиэфира, и не менее одного органического растворителя, характеризуемого относительной скоростью высы.чания 500-10000 шри слое толш,иной 10-200 мк. Рельефные литографские иластниы, соответствующне данному изобретению, являются новыми печатными пластинами. Они обладают промежуточными характеристиками между теми из них, которые относятся к литографским пластинам и к пластинам для сухой офсетпой печати. При -нечатаиии с помощью таких пластин применяются обычные о.фсетные печатающие машины. Если толщина слоя на участке изображения составляет 150-200 мк, то возможно лрименс..ние сухой офСетной печати. Непасыщё1 11Ыв|;пол1-:эфир получают посредством проведения обыЧ|НОЙ реакцпи конденсадии между |эфнрдиолом. имеющим формулу. НО - (R, --- О). - Н, где RI - алкиленозая групппровка, имеющая от до 4 атомов углерода; X - целое число 2-100, или «сложноэфнриым диолом формулы но -J- CCK ),г о -с -Н г- С - О J7 ( уГ Н где R2 - член, выбираемый из группы, состоящей из (СНг), :и 1афтиленовой группы; V 2-4; Z 1 - 10; W 1-4, или с.меси их; вторым реагентом служит неиасыщениая дикарбоновая кислота или ее производное. Указанные эфл-родиолы 1включают лолпэтиленгликолн, имеющие от -СНо-СНзО-груннировок в основной цепи; полнпропиленгликоли, имеющие от 2 до 100 (СНз)О-пруппировок или -CH2CII2 СРЬО-группирОБок в ооповпой цепи; полибутеиглнколи, имеющие от 2 до 50 -СН2СН2 СН2СН20-группировок в основной цепи п :копол.и-(оксиэтилен - оксииропилен) гликоли, имеющие от 2 до 50 -СН2СН2О - грунп и -ОН гС М (С Из) О- г р - п п соответственно ловной :Цепи. Сложные эфироднолы можно легко стро получить иутем реакции конден между пол и метилен гликолем, имеющим мулу,НО-(Cl-b) у-ОН, где Y , ; матической дикарбоновой К1 слотой и метиловым, а также этиловым эфиром, щлм формулу ОО Ra-О-С-R2-C-0-Нз. где Rj - означает член, BbuxipaeNibn : из группы, состоящей из и иафтилеиовой групны; R - член, выбираемый из грунпы, содержандей атом водорода, метильиую и этильную группы; 1-4. Указанные сложноз(|)ирные диолы получают двумя способами (условно Л и Б). Способ А - проведе|1ие реаки.ии вза; между пoлимeтилeнгликoлe и, сложным диметиловым эфиром ской дикарбоповой кислоты в инертного газа при темнературе, в пределах 150--JSOO С, взятым з чествах, чтобы обеспечить получение сложноэфирного диола, имеющего требуе.мую степепь полимеризации или желаемый молекулярный вес. Образующлйся в рез льтате ироведения peaKiuiii отгоняют. Способ Б заключается в добавле 11 и одного нли больщего числа молей полиметилеигликоля, liaпример, к диметиловому ароматической дикарбозюво); кислот 1 в атмосфере инертного газа нри температуре, выбираемой в пределах 150-200° С. Образующийся метанол отгоняют, 1после чего пcзlJIшaют температуру оставшейся реакционной слгеси до температуры, лаходяпдейся в пределах 200-ЗОО С. В случае необходимости образующ)Йся полиметиленгликоль отгоняют при умеиьщенном добавленни с таким расчето., чтобы обеспечить получение сложлоэфириого диола, имеющего требуемую степень полимеризации или желаемый молекул я риый вес. К числу полиметилеигликолей относятся, папример, этилепгликоль; .3-пропаидиол и 1,4-бутаидиол. Ароматические дикарбоиозые киcvтoты или их метиловый и этиловый сложные эфиры, применяемые для получения сложноэфирных днолов включают: терефталевую кислоту; п, л-дифенилдикарбоновую кислоту; бис-(пкарбокслфенил)-нроиан; 1,4-оыс - (/г-карбоксифеиил)-бутаи; .5-|Цафталиндикарбоновую кислоту; 1,2-нафталкнаикарбоновую кислоту; 2,6-нафталиндикарбонову1о кислоту; 2,7-нафталиидикарбоновую кислоту и их диметиловый и диэтиловый сложиые эфиры.
Примерами иенасыщеииы.ч дикарбоиовых кислот и их производных, применяемых для .получения ненасыщеииого сложного нолнэфнра, служат: малеиновая .ки слота, фумаровая кислота, цитраконовая кислота, метаконовая кислота, итакоиовая кислота, глютаконовая кислота, муконовая кислота, аконитовая кислота, их сложные эфнры, образованные низшим спиртом, в частности их днметнловый и днэтиловый сложные эфиры; малеиновый ангидрид, цитракоиовый ангидрид.
Для изменения твердостн или гнбкости слоя, снособ,ного полимеризоваться при освещении, - свойств, приобретаемых после проведения фотополнмеризации посредством варнирования эквивалента двойной связн (молекулярного веса, приходящегося на одну двойную связь) в составе сложного ненасыщенного полнэфира, - часть звена, соответствующую ненасыщенной карбоновой кислоте или се производного, можно заменить насыщенной дикарбоновой кислотой или нроизводным этой кислоты. Если количество такой насыщенной дикарбоновой кислоты или ее производного иревыщает 90 мол. % по отношению к ненасыщенной дикарбоновой кислоте или ее производного, то химическая устойчивость и прочность на растяжение слоя, иолимеризующегося при освещении после проведения фотополимеризаадии, будут .неблаготриятно малыми.
Такие насыщен ные дикарбоновые кислоты и их производные включают, например, малоновую кислоту, метилмалоновую кислоту, янтарную кислоту, метилянтар-ную кислоту, тлутаровую кнслоту, себадиновую кислоту, фталевую кислоту, изофталевую кислоту, терефталевую кислоту и их сложные эфиры, образованные низщим сннртом, таким как диметиловый и диэтиловый сложиые эфиры.
Ненасыщенные полиэфиры, соответствующие настоящему изобретению, получают путем проведения реакции между упомянутым эфиродяолол или упо/мжнутым сложноэфириым диолом или же смесью этих диолов и упомянутой ненасыщенной дикарбоновой кислотой или ее производным и в случае необходимости упомянутой насыщенной дикарбоновой кислотой или ее производпым, приче.м реакц}1ю проводят в инертной атмосфере при температуре 150-300° С. Полученные ненасыщенные полиэфиры имеют темнературу плавления, превыщающую 100° С.
Примерами мономеров, .ненасыщенных подобно этилеиу, служат акриламиды, такие ка-к акрил амид, .метакриламиа, N-окси.метил акриламид. .-оксиметилметакриламид, N-метаоксиметилакриламид, М-метоксиметилметакриламид, N-этоксиметилакриламид, N-этоксиметилметакриламид, N-бутоксиметил акрил амид, N-бутокспметилметакрпламид, N,N - метиленбисакриламид, N.N-метиленбисметакриламнд, N.N-гексаметнленбисакриламид, N,N-reKcaметиленбисметакриламид, акриловая кислота и акрилаты. такие как пропплакрилат, бутила.крилат, 2-оксиэтилакрилат, 2-оксилропилакрилат, этиленгл 1кольдиакрилат, прониленгликольдиакрилат, диэтилеигликольдиакрилат, триэтиленгликольдиакрилат, полнэтиленгликольдиакрилат (средний молекулярный вес
0 полиэтилеигликоля является более ннзкнм чем 2000), пол)шропиленгликольдиакр11лат (средний молекулярный вес полинропиленгликоля является меньщим чем 2000), 1,4-бутиленгли,кольдиакрнлат, триакрплат глицерина,
5 трнакрилат триметнлолиропана, аллилакрилат, глнцпдинакрилат, циклогексилакрилат. тетрагидрофурфурилакрилат; метакрпловая кислота или метакрилаты, такие как пропилметакрилат, бутилметакрилат, 2-оксиэтилметакри0лат, 2-оксипропилметакрилат, этиленглнкольднметакрнлат, пропиленгликольдиметакрнлат, диэтиленгли колвдиметакрилат, триэтиленглнкольдиметакрилат, полиэтиленгликольдиметакрилат (сред-шй молекулярный вес полиэтн5ленгликоля является более низким чем 2000), политроп и л енгликольдиметакрл лат (средний молекулярный вес нолинропжтенгликоля является более низким чем 2000); 1,4-бутиленгликольдиметакрилат, глицерннтриметакри0лат, триметилолиропантриметакрилат, аллилметакрилат, гл щидилметакрилат, циклогексилметакрилат, тетраги дрофу рфурилметакр)лат; а-замещен«ые акриловой кислотой, такие как а-хлоракриловая кислота, а-бромак5риловая кислота; стфол и его производные, такие как п-виннлфенол, п-вннилбензойная к слота, дивинилбензол; слож;1ые виниловые эфиры, такие как винилстеарит и винилбензоат; сложные аллиловые эфиры, как
0 аллиЛ.метакрилат, дпаллилфталат; Х-фтал мид и N-винилнмид янтарной кислоты.
Предпочтительно применять такой моно,мер, ненасыщенный подобно этилену, в количествах, примерно от 10 до 150 вес. ч., считая на 100 вес. ч. сложного ненасыщенного полиэфира. Если количество упомянутого ненасыщенного мономера составляет величину, меньщую 10 вес. ч., то скорость фотохимической реакции, приводящей к образованню сетча0тых, «сщитых между собой молекулярных структур, будет весьма невелика, а механическая прочность продукта после проведения указанной реакции будет слищком мала для практического нр;1менення. Если указаипый выще мономер будет присутствовать в количестве, превыщающем 150 вес. ч., то это будет вредно отражаться на Г1 бкости (после реакции образования) сетчатых структур, кроме того, понижается Х;1мическая устойчивость.
Примерам) подходящих инициаторов для реакции фотополнмеризации служат бензоины, такие как бензоин, а-мстилбензонн, метилбензоиновый эфир, этилбензоиновый эфир, а-фенилбензоин, а-аллилбензоин, феноны, такие как ацетофено, бензофенон, со-бромацетофенондисульфиды, такие как дифбнилдпсульфид, тетраэткллнтийдисульфнд; дикетоны - такие как , диацетил; 2-нафталинсульфонилхлорид.
Указанные шпщиаторы реакции фотополимеризации предпочтительно применять в количестве примерно 0,01 - 5 вес. ч., считая на 100 вес. ч. неиасыщен.ного полиэфира. Если количество инициатора фотополимеризации будет менее 0,01 зес. ч., то реакция фотоноли мернзации значительно задерживается и становится слишком eдлeннoн для применения в практических :1;)энзводственных целях. С другой стороны, количества инициатора, превышающие 5 зес. ч., iie приводят к оуидествеиному ускореиию реакции и должны рассматриваться как неэкономичные.
Извест 1ые нигионторы реакции тенловоп полнхмеризащиаг могут применяться для обеспечения устойчивости при храпении («срока жизни на полке), очуз,стзлеи11ых к действию света растворов. Такие стабилизаторы можно добавлять в том случае, есл.н комнонеиты фоточувствительного раствора смешиваются вместе. Кроме того, стабилизаторы можно добавлять к каждому компонеиту по отдельности перед их смешен :ем.
Примерными ингибиторами тепловой нолимеризации служат: гидрохинон, мопо-, третбутилгидрохино, фенотназии, /г-диаминобензол, - З-лафтол, а-нафтол, нлфтиламиь% пирогаллол, одиохлорнстая медь и нитробензол. Эти ингибиторы добазляют лишь для иолного предотвраш,ения реакции полимеризации, при условии нрекраш;е ня дальнейшего освещения актццичными лучамн i без ограничения реакции фотополнмернзации. Следовательно, количество стабилизаторов может составлять примерно от 0,01 до 2 вес. ч., счнтая на 1:00 вес. ч. ненасыщенного полиэфира.
Кроме того, к 11олимернзующ мся при освещении составам могут добавляться различные соедкнення, такие как наиолнителн н пластификаторы. К таких соединеинй относятся, например, нолнметилметакрнлаты, воли-стиролы, полиуретаны, поливиннлхлориды, поли (стиролбутаднеп) полимеры, нолнбутадиеиы, натуральные каучуки, полнвинилбутирали, поливинилпирролндои, растворимые полиамиды, поливинилацетаты, алкидные смолы, .иасыщеп.ные н.ол;-эфир1з1, ацетаты целлюлозы, стекловолокно, стеклоткань, тонкоднсперсная двуокнсь кремл1ня, топкодисперсный углекнслый кальций и слюда.
Фотополнмеризующийся слой, соответствующий данному изобретению, легко нодвергается фотополимериза|ЦИ|И нод воздействнем актигигчного облучения, характеризуемого
о
длиной световой волкы менее 7000А, обычно
в пределах 2000- 5000 А. Обычными источниками такого актиннчного освещения служат дуговые электролампы, свет.нльннки с ртутиыми горелками высокого давления, ультрафиолетовые флуоресцентные светиль п ки и ксеионовые ламны.
Фоточувствительиые растворы получают з соответствии с настоящим изобретением лутем раствореиия иолимеризирующегося при освещении компонента в растворителе. Прл это-м нужен такой раствор1 тель, который имел бы относительную скорость высыхан;1я в пределах от 500 до 10000, предпочтительно эт 1000 до 5000, что выражается формулой
где Я - упругость пара (з мм. рт. ст.) растворптеля при 20° С, М - Д Олекуляр;1Ь Й вес растворителя. В случае смеси раствор11телгй отиоонтельная скорость высыхания раствор; теля выражается следуюпдей формулой:
,, V (Р X MiCTi,
I--1
где Р и М имеют пр:1веденные выше значения, а - выражает мо.1ярную функцию i отдельного растворителя. В случае относительных скоростей вь сыхания. ме1)Ьш;1х 500, фоточунствительный слой после нанесения покрытия стаиовнтся иерозны:.; и шсроховатглм.
С другоГ стороны, если относительная скорость высыхания превышает значение 10000, то трудио контролировать толщину слоя, н уча.сток нзображеиия становится нечетким.
Раствор11телн, соответстзуюни е настоящему нз€брете,И|ИЮ, включают хлорнроваи 1ые алифатические углеводороды, такие как .тнхлормета-н, хлороформ, тетрахлормета ;; 1.2дихлорэтан, трихлорэтилен, тетрахлорэтиле: ; бромированные алифатические углеводороды, -в частности днбромэтап, нзобут.;лбромид, нзоал1нлброми|д; кетоны - например, ацето, етнлэтилкетон, диацетоновый спирт; 1и кллческие сложные эфиры, диоксаи, тетрагндрофуран, диоксолан, тетрагндроииран; пнр)1ди:-. Примепяют смесь раствор:ггелей. а li.ieHHo Ц1|клическс)го эфира и кетона, нли с.мгсь хлорироваииого алифатического углеводор: ла и кетона. Для улучщения состояния поверхности фоточувствнтелыюго раствора носле :iaиесеиия покрытия и регулирования OTI-IOCHтелыюй скорости высыха1-:ия фоточувствительного раствора иредночтнтольнее ;пимсн5;т; низш.не алифатическне сннрты, нмеюнигг з своем составе от 1 до 4 атомов углерода, такие, как метанол, этанол, нзонронанол н норм, бутанол совместно с растворителем. :Весовое соотношение между фотополн.гернзующимся компонентом ;i растворнтелем находится в пределах от I : 5 до 1 : 25. Если соотношение будет меньшим 4eN 1:5, то часть фоточувствителыюго раствора будет осаждаться и устойчивость ири хранении будет недостаточной. С другой стороны, соотиошения большие чем I : 25 приводят к уменьшению толщины слоя покрытия и затрудняют коитроль за ТОЛЩШ10Й слоя.
Предпочтительно, чтобы фоточувствнтельные растворы имели вязкость в пределах 5-150 спз.
В качестзг подложки используют бумагу, обработанную синтетическими смола.ми и глиноземом, бумаг}, покрытую синтетической смолой; металлы и сплавы, такие как алюми|Ний, цинк, медь, магний; алюминий, плакированный медью; железо, пла.кированное медью; хромированная медь, нерл авеющая сталь, бронза; пластлгассы, такие как сложные полиэфиры, полиамиды, поливинилхлориды,- полиметилметакрилаты, полистиролы и сложные эфиры целлюлозы. Толщина таких подложек 0,1-2,0 мм. Особенно пригодны алюминиевые пластинки толщи.ной 0,3-0,5 мм и цинковые пластинки толщиной 0,3-1,0 мм.
.При изготовлении рельефной литографской пластины основу, используемую в офсетной печати, такую как алюминиевые пласти; ки толщиной 0,3-0,5 мм и цииковые пластинки толщиной 0,3-1,0 мм, поверхность которых матирована или подвергнута зернению (велич1ина зерна составляет примерно 600- 800 меш) покрывают фотэчувствительным раствором вручную или с помощью центрифуги при скорости вращения 30-300 об/мин посредством поливочной мащииы при зазоре между кромкой иожа и поверхностью основы 0,1 -1,0 мм и скоростью подач-и раствора 20-5000 и скоростью перемещения транспортирующей ленты 0,5-120 м/мин. Если фоточувствктельный раствор использ}ют для приготовления рельефных литографских пластин для обычной офсетной печати, то нет необходимости в зернении или матировании поверхности подложки. После удаления растворителя выс} щиванием полученную пластину помещают в вакуумную фотокопировальную раму и подвергают экспозиции при комнатной температуре от .источника актиничного освещения согласно процессу обработки негативной пленки. Оптимальное время экспонирова1ния зависит от слоя покрытия, содержащего полнмеризующийся при освещении .компонент. После удаления негативной пленки участки, на которых отсутствует изображение, промывают водным растворо.м гидрата окиси натрия концентрацией 0,01-2 вес. %. Помимо гидрата окиси натрия, .можно применять гидрат окиси калия, углекислый натрий и гидрат окиси кальция при той же концентрации. После этого поверхность пластинки обрабатывают десенсибилизирующим средством. Примера: 1и таких десенсибилизи|рующих средств служат гидрофильные коллоиды на основе гу: 1миарабика, такие как «АГУД1-О и «АГУ.М-цет (торговое наименование фирмы «Xauiiecerген, Ганновер, поставляющие такие коллоиды) или же карбокснметилцеллюлоза (препарат «С.М.С.), фосфорная кислота, азотная кислота .и их кальциевые или aм ioн;ieвыe соли; далее - органические КР.СЛОТЫ и их натриевые, калиевые и кальциевые соли. Сенсибилиз.ирующее средство наносят вручную, с помощью мягкой губки.
Полученные рельефные литографские пластины отличаются повышенной устойчивостью к истиранию и износу во время печатного процесса. С одной пластины можно получить более 300 000 оттисков. При применении таких литографских пластин можно повысить скорость печатания. При применоыш
высокоскоростной офсетной печатной машины и рассматриваемых рельефных литографских пластин на участке изображения не наблюдается ни износ пластины, ни шелушение покровного слоя. В связи с тем, что участок
изображения на пластинах относится к рельефному типу, смазыванне типографской краски ослабляется благодаря незначительному количеству воды, требуемой для увлажнения. Примеры 1 -14. К 100 г ненасыщенного
пол.11эфира, полученного из дпола и дикарбоновой кислоты - компонентов реакционной смеси, конкретизированных в таблице 1, добавляют 15 г этилендиметакрилата, 25 г метакриламиаа, 0,5 г 2-нафталинсульфонилхлорида и 0,01 г нафтиламина. 100 г полученной указанным образом смеси растворяют соответственно в 2000 г 1,2-дихлорэтана, смешанного с пнридином в молярном соотношении 3 :2 (упоминаемого ниже как «А-раствор) и
в 1800 г смеси тетрагидрофурана с этанолом в молярном соотношеини 1 : 1 (упомн;наемой ниже как «Б-раствор). Алюминиевую пластинку толщиной 0,3 мм с показателем степени зернения 600 меш покрывают соответственно «А-раствором и «Б-раствором с помощью центрифуги для печатных пластин со скоростью вращения 60 оо1мин ;с целью получения фоточувствительной пластины. Пластину помещают в вакуумную раму i: освещают дуговой лампой мощностью 5 кет, помещенной на расстоянии 1 .U в течение 50 сек через негативную с раствором 150 на 25,4 ..;-,/, (1 дюйм), после чего проявляют 0,5%-нь;м водным раствором гидрата окиси натрия. Проявленную пластину покрывают раствором каучука («АГУМ-О - торговое наименование продукта, поставляе,1ого фирмой «Ханнезегген, Ганновер) с помощью целлюлозной губки вручную, благодаря чему получается литографская пластина с рельефным изображением. Из полученных пластин в процессе обычной офсетной печати получаются чпстые и точные оттиски.
Получение ненасыщенного сложного
полиэфира в примере 1
100 г пол.иэтиленгликоля, имеющего средний молекулярнь вес 200, выдерживают при
температуре 220-240° С в атмосфере азота, после чего добавляют 53 г фy ;apoвoй кнслоты li г л-толуолсульфок слоты. Реакцию проводят в течение 10 час. Воду, образующуюся в результате реакции, отгоняют. В итоге получен ненасыщенный сложный поли11
эфир, имеющий кислотное число 16 и температуру плавления 110° С.
В ир.имерах 2-4 иенасыщеииые сложные
12
полиэфиры готовят таким же
образом, как в иримере 1.
Таб.- II ц а 1
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ПРОЯВИТЕЛЬ ДЛЯ ЛИТОГРАФСКИХ ПЛАСТИН | 1973 |
|
SU374865A1 |
Фотополимеризующаяся композиция | 1974 |
|
SU551937A1 |
ФОТОПОЛИМЕРИЗУЕМАЯ КОМПОЗИЦИЯ | 1972 |
|
SU343449A1 |
Способ получения полиакрилатных олигомеров | 1977 |
|
SU735601A1 |
КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ЕЕ ОТВЕРЖДЕНИЯ | 1997 |
|
RU2210798C2 |
КЛЕЙ НА ОСНОВЕ ПРИВИТЫХ СОПОЛИМЕРОВ СЛОЖНЫХ ПОЛИЭФИРОВ И ПОЛИ(МЕТ)АКРИЛАТА | 2008 |
|
RU2479613C2 |
МНОГОСЛОЙНАЯ БИОРАЗЛАГАЕМАЯ ПЛЕНКА | 2017 |
|
RU2795428C2 |
Состав для покрытий | 1974 |
|
SU618052A3 |
РАДИАЦИОННО-ОТВЕРЖДАЕМЫЕ ДИСПЕРГИРУЕМЫЕ В ВОДЕ ПОЛИУРЕТАН(MET)АКРИЛАТЫ | 2014 |
|
RU2673466C2 |
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ФЛЕКСОГРАФСКИЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОРМНЫХ ПЛАСТИН ФЛЕКСОГРАФСКОЙ ПЕЧАТИ ДЛЯ ПЕЧАТАНИЯ ГАЗЕТ | 2002 |
|
RU2295145C2 |
Примечание; 1. .Молярное соотношение между диолом и д1;ка|зио110Бой кислотой 1 : 1.
Получение сложного эфира диола в примере 5
К 824 г диметилтерефталата и 789 г этиленгликоля добавляют 0,5 г уксусного циика и нагревают смесь при температуре 180- 200°С в атмосфере азота. ПолучаЕощийся метанол в количестве 271 г отгоняют, л образовавшуюся с.месь дополиительно нагревают при
температуре 220-240 С, причем отгоняют 5 453 г этиленгликоля. В итоге получают бис-рокоиэтилтерефталат, имеющий степе 1Ь нолимериза.цип 3,2.
Получение сложного ненасыщенного Qполиэфира в примере 5
К полученному сложному эфиру диола до13
бавляют 144 г фумаровой кислоты и 3 г п-толуолсульфокнслоты, после чего смесь нагревают при температуре 240°С в течение 8 час в атмосфере азота при отгонке воды, образующейся в результате реакции. Получается сложный ненасыщенный полиэфир, имеющий кислотное число 16,5 и температуру плавления 184° С.
В примерах 6-8 сложные ненасыщенные полиэфиры получают так же, как указано в примере 5.
Получение сложного эфира диола в примере 13
К 789 г этиленгЛИколя добавляют 824 г диметилтерефтала и 0,5 г уксуснокислого цинка, после чего нагревают смесь при температуре Г80-200°С в течение 80 мин в атмосфере азота, причеМ отгоняют метанол в количестве 271 г. Температуру реакции постепенно повышают до 220-240° С. Полученную смесь оставляют дополдительно реагировать, причем отгонялось дополдителыю 456 г этиленгликоля.
Получение ненасыщенного полиэфира в примере 13
К полученному сложному эфиру диола добавляют 155 г фумаровой К1 слоты, 105,5 г адиП D и м е ч а п и с
В
результате печатаная
Алюмин:1евую пластину толщиной 0,5 мм с показателем степени зернения поверх ности 800 мет, покрывают фоточувствительным раствором с помощью устройства с накатным валиком, вращающимся со скоростью 15 об/мин.
14
пинозой кислоты и 3 г г-толуолсульфокнслоты, причем температуру реакционной смеси поддерживают на уровне 240° С. Через 30 мин добавляют 523 г полиэтиленгликоля, имеющего средний молекулярный вес 600, полученную смесь нагревают при температуре 240° С в течение 8 час в атмосфере азота, причем образующуюся в результате реакции воду отгоняют. В результате получают ненасыщенный полиэфир, имеющий кислотное число 21,4 и температуру плавления 145° С.
В примерах 9-12 и 14 ненасыщенные сложные полиэфиры получают таким же образом, как указано в примере 13.
5
Примеры 15-29. К 100 г ненасыщенного полиэфира, имеющего температуру плавления 142° С, полученного в результате проведения обычной реакции конденсации 0,5 ч. дипропилеигликоля, 0,5 ч. бис-р-окСИэтиленметиленfiбисфе:П лдикарбокс1 ла, полученного в свою очередь путем реакции слончноэфирного обмена этилеигликолем и диметиловым эфиром г,/г-дифенилметандикарбоновой кислоты, 0,5 ч. фумлровой кислоты и 0,5 ч. адипиновой кислоты, добавляют 25 г метилакриламида, 25 г акриловой шклоты, 1,0 г аллилбензоина и 0,02 г гидрохинона. 100 г полученной таким путем смеси растворяют в различных растворителях, показанных в таблше 2, с целью иолучеисия фоточувствительного раствора.
Таблица 2
::.ос::ро :;;.ведение негативного изображения.
И зыс шивают для нолуче ия фоточ вствителы1оГ| пластинки. Пластину помещают в вакухмаую pa.iy и освещают ртутной ламной зысохого давления мощностью 500 вт на расстогнии SO см в теченне 70 сек через нсгатя|виую пленку с нспытательнон таблицей, имеющей от 7 до 34 точек. SKcnoiu-ipoBaiiiiyio плаcTjniy проявляют в 0,6%-ном водном растворе гидрата окиси натрия, высушивают и покрывают каучуком с помощью неллюлозиой губки вручиую. Таким путем получают рельефную литографскую пластину для офсетной печати.
Примеры 30-39. 1 ч. нолиэтиленглнколя, имеющего средиий молекулярный вес 600; 0,5 ч. фу.маровой кислоты и 0,5 ч. терефталевой кислоты подвергают реакции ноликонденсации по обычному методу. Полученный ненасыщенный сложный полиэфир имеет температуру плавления 125° С. 100 г ненасыщенного сложного полиэфира, 30 г акриламида, 20 г стирола, 2 г метилового эфира бензоина и 0,02 г р-нафтола тщательно перемещивают и 100 г полученной смеси растворяют в 1500 г
Примеры 40-44. К 100 г ненасыщенного сложного полиэфира, имеющего температуру плавления 102° С, полученного из 1 ч. нолиэтиленгликоля, имеющего средний молекулярный вес 600, 0,5 ч. фумаровой кислоты н 0,5 г адипиновой кислоты добавляют 25 г метиленбнсакрплампда, 25 г цтаконовой кислоты, 2 г бенгонна н 0,01 г гидрохинона. 100 г полученной смеси растворяют .в 2000 г смеси трихлорэти.гена с метнлэтилкетоном в молярнол соотношение 1 : 2. Получен фоточувствительный раствор, имеющий (ВЯЗКОСТЬ 10 спз и относительную скорость высыхания 6280. Цинковую пластину толщиной I мм, имеющую пОКазатель зергения поверхности 600-800 меш, покрывают фоточувствительньг.м раствором в центрифуге вертикального типа лри различных определенных скоростях вращения, приведенных в таблице 4. Таким образом, получают фоточувствптельную пластину. Эту пластину помещают в вакуумную рамку для печати, покрывают контрольным негативом, имеющим от 7 до 34 точек, и освещают ртутной лампой на расстоянии 50 см в течение 2 мин. Затем пластисмеси диоксаиа с ацетоном в различиы.х выбранных молекуляр 11)1х соотнощеииях, приведенных в таблнце 13, с нелью получения фоточувствительного раствора. Алюминиевую нластину толщииой 0,3 лмг с показателем стененп зернения поверхности пластнны 800 .иеш покрывают фоточувствительпым раствором: с номощью устройства для покрытия.
Полученную фотосенснбилнзированпую
пластину помещают в вакуумную рамку для печати, покрывают негат;1вной пленкой, имеющей растр 150 лнний на 25,4 мм ( дюйм) и освещают дуговой лампой, помещенной на расстоянии 1 м. в течение 2 мин. Затем нластниу проявляют 0,5%-ным водны.м раствором гидрата окиси натрия, высущивают и покрывают каучуком вручную, пользуясь губкой. В итоге получают рельефную литографскую пластних для ocbceTHoii печати.
т а блина 3
ну проявляют 0,5%-ным водиым раствором гидрата окиси натрия, высущо-шают и покрывают каучуком вручную, с помощью целлюполучают рельефную лозпой губки. В итоге литографскую пластину для офсетной печати, С применением каждой из полученных плаболее чем 300000 отстии можно отпечатать гисков.
Таблица 4
Скорость вращения,
Момор oOl.iUH iiDinopa
24 18 12
Пример 45. 100 г ненасыщенного полиэфира, нолученного в примере 40, 15 г этилакрилата, 30 г стирола, 2 г дифенилдисульфида и 0,1 г р-нафтола тщательно перемещивают, и 100 г смес растворяют в 1500 г смеси 1,2-дн
Даты
1974-04-15—Публикация
1969-09-11—Подача