УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОВЕРКИ К ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР Советский патент 1974 года по МПК H01L21/66 G01R31/26 G01R31/28 

1

Изобретение относится к области промышленного производства полупроводниковых приборов, в частности многоэмиттерных транзисторов и интегральных схем на таких транзисторах.

В настоящее время число эмиттерных ячеек отдельных типов транзисторов достигает 300 и более. Смыкание одной или нескольких ячеек эмиттер - база в результата диффузионных или фотолитографических процессов приводит к выходу из строя всей транзисторной структуры, в то время как вклад в работу транзистора отдельных ячеек незначителен и работоспособность транзистора не изменяется при удалении закороченного участка структуры, а эксплуатационные характеристики не отличаются от характеристик приборов, в которых закоротки перехода эмиттер - база отсутствуют.

Известпо устройство для контроля вольтамперных характеристик транзисторных структур, содержащее характериограф и контактные зонды. Это устройство предназначено только для контроля вольтамперных характеристик, и его невозможно применить для реставрации короткозамкнутых переходов эмиттер - база.

Цель изобретения-обеспечепие возможности наряду с контролем вольтамиерных характеристик реставрировать короткозамкнутые переходы эмиттер - база и визуально контролировать количество работающих эмиттерных областей.

Цель достигается тем, что предлагаемое устройство снабжено источником напряжения и коммутатором для поочередного подключения к зондам характериографа и упомянутого источника напряжения. При этом один из зондов соединен со средней точкой персключателя, а один из полюсов этого переключателя соединен с источником напряжения через выпрямитель.

На чертеже схематично изображено предлагаемое устройство.

Оно включает в себя характериограф 1, группу зондов 2, 3, 4, источник переменного напряжения 5, диод 6, телефонный роликовый ключ 7 без фиксации ролика и контактный стол 8.

Устройство работает следующим образом.

Пластину 9, имеющую многоэмиттерные структуры, состоящие из п параллельно соединенных между собой ячеек, каждая из которых содержит р-«-переход и последовательно включенное в цепь эмиттера балластное сопротивление, помещают на стол 8 и подводят зонды так, чтобы зопд 2 располагался на базовой контактной площадке, а зонды 3 и 4 - на эмиттерных.

Для структуры, имеющей одну контактную эмиттерную площадку, используют один из зондов 3 и 4, оставляя другой свободным.

Контроль вольтамперных характеристик транзисторных структур оператор проводит при расположении ключа 7 в положение а. При обнаружепии же короткозамкнутого перехода эмиттер - база ключ 7 переводят в положение б или 8 в зависимости от конструкции транзисторной структуры.

В положении ключа 7 б источник переменного напряжения 5 оказывается подключенным к эмиттерным контактным площадкам.

Ток в транзисторной структуре протекает по закороченным с базой эмиттерным ячейкам и вызывает разрушение перемычек или балластных сопротивлений. Дальнейшее протекание тока прекратится, так как оставшиеся годными эмиттерные р-га-переходы оказываются включенными навстречу друг другу.

Количество выжженных эмиттеров визуально контролируют переводом ключа 7 в положение в. В этог/1 положении работающие эмиттеры оказываются обратно включенными с диодом 6 в цепь источника переменного напряжения 5. Обратное напряжение вызывает свечение работающих эмиттеров, за которыми наблюдают визуально в микроскоп.

Для структуры с одной контактной площадкой реставрацию короткозамкнутого перехода проводят одновременно с визуальным контролем при расположении ключа 7 в положении в.

Реставрация эмиттеров транзисторной структуры проводится под напряжением 5 в.

Предмет изобретения

Устройство для проверки и восстановления транзисторных структур, содержащее характериограф и контактные зонды, отличающееся тем, что, с целью реставрации короткозамкнутых переходов, оно содержит коммутатор, соединенный с зондами, характериографом, источником неременного напряжения и диодом, выпрямляющим переменное напряжение.

Т| jLff

rj ZZgzZtSZZZSL.-,