1
Изобретение относится к радиотехнике, а именно к радиокерамическим материалам, которые применяют в качестве диэлектриков высокочастотных конденсаторов.
Известны сегнетокерамические материалы группы М750, описываемые формулой
(CaLa)(AlTi)03,
представляюпдие собой твердые растворы системы CaTiOs-ЬаЛЮз. Керамические материлы группы М750 имеют малые ТКе и малый тангенс -потерь tg6, но диэлектрическая проницаемость е материалов группы М750 сравнительно мала, особенно при малых ТКе.
8 20-30 при (-75-+20)-10-e-iy
Известно также использование в качестве диэлектриков высокочастотных керамических конденсаторов перовскитных соединений типа АВОз, структура и состав которых обеспечивают сравнительно низкое значение диэлектрической проницаемости при малых ТКе и tgfi.
Однако известные сегнетокерамические материалы имеют недостаточное удельное сопротивление и плотность при температурном коэффициенте диэлектрической проницаемости, близком к нулю.
Целью изобретения является повышение удельного сопротивления и увеличение плотности при температурном коэффициенте диэлектрической проницаемости, близком к нулю.
Для этого исходные компоненты взяты в следующем соотношении, в вес. %:
Окись свинца48,20-54,75
Пятиокись ниобия35,04-47,78
Двуокись металла из3,19-12,64
группы титан, цирконий
Кроме того, двуокись титана взята в количестве 3,19-8,57, а двуокись циркония взята в количестве 8,84-12,64.
Предложенный сегпетокерамический материал имеет структуру пирохлора и калийвольфрамовых бронз, представляющий собой составы двойных систем цирконата-метапиобата свинца или титаната-метаниобата свинца.
Химическая формула предложепного сегнетокерамического материала имеет вид
25
Pbi+x()a-0,,
где или Ti и значения х определены следующими пределами:
30Л : 0,10-0,28.
В соответствии с указанными значениями х в синтезируемых составах будут содержаться исходные компоненты в следующих соотношениях, в вес. %:
Для в Zi
PbO 48,20 - 52.32
NbjOs 35,04 - 46,96
ZrOj 4,84 - 12,64
Для В Ti
PbO 49,03 - 54,75
NbjOs 36,68 - 47,78
TiOj 3,19- 8,57
У граничных составов заявляемой области получаются следующие содержания исходных компонентов, в вес. % (см. табл. 1):
Таблица 1
В табл. 2 сопоставлены параметры женного материала с параметрами ного.
Та бл ица 2
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
РАДИОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1973 |
|
SU377340A1 |
РАДИОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1973 |
|
SU376340A1 |
СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1973 |
|
SU391102A1 |
КОНДЕНСАТОРНАЯ КЕРАМИКА | 1973 |
|
SU363128A1 |
СЕГНЕТОКЕРАЛ1ИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ fc^^^ | 1972 |
|
SU346760A1 |
Керамический конденсаторный материал | 1981 |
|
SU1008197A1 |
Сегнетокерамический материал | 1978 |
|
SU692812A1 |
Шихта для изготовления сегнетокерамического материала | 1982 |
|
SU1028644A1 |
Конденсаторная керамика | 1978 |
|
SU698958A1 |
Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов | 1978 |
|
SU785269A1 |
Измерения проводились на частоте 1 Мгц.
Предложенный материал может быть получен следующим образом.
Исходные компоненты окись свинца РЬО, двуокись циркония ZrOz или двуокись титана TiOa, пятиокись ниобия Nb2O5 смешиваются в необходимом молекулярном отношении, определяемом значениями х. Синтез производят при 860-980°С. Окончательный обжиг - при 1200-1350°С.
Предмет изобретения
Окись свинца48,20-54,75
Пятиокись ниобия35,04--47,78
Двуокись металла из группы титан - цирконий3,19-12,64.
Авторы
Даты
1974-07-25—Публикация
1972-02-10—Подача