Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов Советский патент 1980 года по МПК C04B35/468 

(54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТСВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТЕРМОКОМПЕНСИРУЮЩИХ КОНДЕНСАТОРСВ { Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве высокочастотных керамическх материалов по группе ТКН М750 с повышенной удельной емкостью В настоящее время для изготовления различных типов высокочастотных конде саторов термокомпёнсирующих групп по ТКЕ как низкого, так и высокого напряжений широко применяют керамические материалы на основе твердых растворов La CaTi Oj Ij. Известна шихта для изготовления вы сокочастотных; термокомпёнсирующих кон денсаторов t2j, содержащая, вес.%: 19,0-19,2 ВаО 16,6-37,5 Ndapj 39,5-39,7 TiPa 4,0-24,5 Laapj Однако из итого материала невозмож но получить диэлектрическийматериал для высокочастотных конденсаторов с п вьпиенным значением диэлектрической п ницаемости и малыми потерями.

p5|5 ;. i. . .

asaSu.ia Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является керамический материал для изготовления термо- компенсирующих высокочастотных конденсаторов з}, содержащий мол.%: BaTiO 77 1ааР 2Т-;О25 Srl-iOj18 Этот материал имеет при высоком значении диэлектрической проницаемости очень большой по абсолютной величине температурный коэ({)фициент диэлектрической проницаемости и высокие диэлектри- ческие потери. ТДель изобретения - снижение диэлектрических потерь и обеспечение температурного коэффициента диэлектричес:кой проницаемости в интервале (65О-82О)«1О градТ Поставленная, цель достигается тем, что шихта для изготовления высокочастотных термокомпёнсирующих конденсаторов, содержащая St-Ti Ол, BaCOj, Т| О|д,

йд Oj, содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%:

SrTiOj 1-10,0

(в пересчете 11,4-18,5 на 36,7-39,6

TfQ,,

«aS 40,9-41,9

В результате высокотемпературного

синтеза предлагаемая смесь приобретает свойства высокочастотного конденсаторно.го керамического материала..

Материал получают следующим образом. Отвешивают предварительно прокаленную при 110О-12ОО С окись лантана, углекислый барий из расчета 10-18% ВаО, двуокись титана, титанат стронция и по мещают иге в агатовую струпку, где вмесч те с дистиллированной, водой производят смешивание в течение 2 ч. После этого смесь высушивают, и изготовл$пот образны согласно ГОСТ: 5458-75/ Материалы керамические радиотехнические, после чего измеряют их электрические

характеристики. Причем иэ полученного высокочастотного керамического материала можно оформлять заготовки конденсаторов любым методом, принятым в керамической технологии..

Конкретные составы шихты полученного матэриала в сравнении с прототипом приведены в табл. 1, а их свойства в табл. 2.

Таблица 1

Таблица 2

Диа1ектрическая 120-122 123-125 . проницаемость

Тангенс угла диэлектрических потерь 2-3

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКЕ 10 град

-(786-820) -{650-736) -(724-785) -(100-70ОО)

Использование предлагаемого материала приводит к увеличению удельной емкости высокочастотных конденсаторов при малых значениях диэлектрических потерь и тем самьпуг к экономии драгоценных металлов (например, серебра).

Ф о р м у л а и 3 о б р е т е н и я

Шихта для изготовления высокочастоти. шх термокомпенсирующих конденсаторов, включающая SrTJO, BaCOjj Ti 0,2. и

17

2-3

2-3

i.aaOj, отличающаяся тем, что, с целью снижения диэлектрических потерь и обеспечения температурного 50 коэффициента диэлектрической проницаемости в интервале (650-820) 1 Отрад , она содержит компоненты при следующем соотношении, вес.%

1,0-10,0

svno

5

.BaCOj(B пересчете

на ВаО)11,4-18,5 36,7-39,6 . 40,9-41,9

Ьа.0з 126-129 1ОО-14ОО

5 7852696

Источники информации,2. Авторское свидетельство СССР

принятие во внимание при экспертизе№ 628133, кл. С 04 В 35/00,

иад-во. лиретаруты по строительству,, 3, Патент США hfe 3440О67,

1972, с. 335.кл. 106-39, 1969.