(Л
с
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Керамический материал для высокочастотных конденсаторов | 1980 |
|
SU928432A1 |
| ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (ВАРИАНТЫ) | 2000 |
|
RU2170219C1 |
| КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ЦИНКЗАМЕЩЕННОГО НИОБАТА ВИСМУТА | 2000 |
|
RU2167842C1 |
| Керамический материал | 1979 |
|
SU832608A1 |
| Керамический материал для термо-СТАбильНыХ КОНдЕНСАТОРОВ | 1979 |
|
SU831761A1 |
| ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ С ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ЕМКОСТИ ОТ -30·10град. ДО +30·10град. | 1992 |
|
RU2035778C1 |
| Шихта для изготовления термостабильного конденсаторного керамического материала | 1983 |
|
SU1164226A1 |
| Способ получения керамического материала на основе оксидов висмута-цинка-ниобия | 2023 |
|
RU2804938C1 |
| ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ С ВЕЛИЧИНОЙ ТЕМПЕРАТУРНОГО КОЭФФИЦИЕНТА ЕМКОСТИ (-47 ± 30)·10град. | 1992 |
|
RU2035779C1 |
| Шихта для изготовления керамического диэлектрического материала | 1982 |
|
SU1106806A1 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОРНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий соединение eZrO NbjO, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости и :снижения температуры спекания, ;ОН дополнительно содержит Tio, а j его состав соответствует формуле (б-х) ZrOfXTio T Nb.Or, гдеХ . 0,03-1,5.
00
со
--4
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано, преимущественно, в производстве керамических термостабильных высокочастотных конденсаторов с повышенной удельной емкостью.
Известен конденсаторный керамический материал групп ТКЕ, близких к нулю, на основе систем: CaSnO CaZ.rOg, - CaTiOg М
Однако этот материал имеет сравнительно небольшие величины диэлектрической проницаемости (18-20J . Температура спекания керамики 13801420°С.
Известен керамический материал, включающий, вес.%: ВаО 19-,-20, 7 у NdOj 34,1-35,1; B-ijOj 6,2-6,1., TiO 38,5-39,0 2 .
Указанный материал используют для прецизионных специальных изделий. Однако для более массового применения они непригодны ввиду высокой стоимости и острой дефицитности окиси неодима и, особенно, окиси самария .
Наиболее близким к предлагаемому по тез нической сущности и достигаемому результату является керамический конденсаторный материал з , который содержит двуокись циркония и пятиокись ниобия в следующих количествах, мас.%:
Двуокись
циркония65-79
Пятиокись
ниобия 21-35
В основе материала лежит совдинение 6ZrOj- NbjOj , образующее твердые растворы cZrO (до состава 8Z.rO2-NbiO) и с NbjOs (до состава Ц ZrOj-NhjO). Материал имеет повы-. шейную диэлектрическую проницае- i мость (е 50-бО) .
Однако температурный коэффициент диэлектрической проницаемости материала имеет высокое плюсовое значение ТК + (240-300) град, что не позволяет использовать его в термостабильных конденсаторах, величина ТК которых должна лежать в пре- делах от +100-10 6 до -6510 град Кроме того, материал спекается только при высокой температуре (14001450с), что лежит за пределами возможностей обычных промышленных печей (до 13f6-1380c).
Цель изобретения - повышение температурной стабильности диэлектрической проницаемости и снижение температуры спекания.
Поставленная цель достигается тем что керамический конденсаторный материал, содержащий соединение GZrOj , дополнительно содержит Т(Ог,
а его состав соответствует формуле (6-х )гг02 XTiOilNb.Of , где X 0,03-1,5.
Для получения продуктов состава (6-x)ZrO.XT.,Oj.Nb205, где X 0,031,5, в реактор-репульпатор с мешалкой, обеспечивающей скорость перемешивания 2500-3000 об/мин, заливают дистиллированную воду и растворы солей циркония и титана(Хлоридов, нитратов или сульфатов). При перемешивании всыпают пятиокись ниобия. Суспензию перемешивают в течение 1-2 ч, затем медленно вливают аммиак до значений рН 8,5-9,0. После этого продолжают перемешивание в течение 1-2 ч. Осадок отфильтровывают, отмывают от анионов, прокаливают при 1150-1250®С. Продукт размалывают и- просеивают через сито 0056.
Расход компонентов при получении 1 кг готовой продукции при различном значении X в формуле Цб-х} ZrOj- ;Т1О2 ЫЬ2О представлен в табл.
Полученные составы представляют твердые растворы на основе соединения и сохраняют присущую ему кристаллическую структуру
Предлагаемый состав по значевшям X определяют по нижнему пределу начало термокомпенсации и по верхнему пределу - начало искажения кристаллической структуры, нарушение однофазности и прекршце- ние спекаемости керамики.
Из полученных составов спекают керамику и измеряют ее электрофизические характеристики (см. табл.2).
Как видно из таблицы, замещение двуокиси циркония на двуокись титана позволило провести термокомпенсацию ТК при сохранении низких значений tgS и достаточно высокой 52-58. Диапазон значений ТКЕ оченд широкий, что позволяет, изготавливат термостабильные высокочастотные конденфаторы разных групп ТК : + lOOi :20 (П100); + зз±20 (пзз); 0120 (мпо) ; -47i20tM47); -75±20(М75).
Значительное снижение температуры спекания керамики (на 120-2bOc позволяет организовать п эомышлениый выпуск конденсаторов.
Таким образом, к преимуществам предлагаемого материала по сравнени с прс(тотипом относится термокомпенсавдия ТК до значений, близких к нулевым, применение для изготовления тячэмостабильных высокочастотных конденсаторов групп ТК П100, ПЗЗ, МПС, М47, М75 (наиболее важен мате.-, риал МПО и значительное снижение температуры спекания керамики,, облегчаюшее изготовление изделий в промышленных условиях.
Таблица2
