Кристаллизатор Советский патент 1980 года по МПК C22B9/193 

Изобретение относится к электрометаллургии, в частности к электрошлаковому переплаву. Известно устройство для производства полых слитков методом электрошлакового переплава, состояш,ее из секции для формирования наружной поверхности слитка, секции для формирования внутренней поверхности слитка и элементов крепления. Соединительные элементы в таком устройстве не изолированы электрически от кристаллизатора и не снабжены токоподводами, т. е. не могут служить электродами. Цель изобретения - создание разъемного кристаллизатора для электрошлакового переплава полой заготовки, в котором соединительные элементы являются одновременно и нерасходуемыми электродами, что позволило бы производить цилиндрические полые слитки неограниченной длины. Цель достигается путем скрепления отдельных секций для создания внутренней и наружной поверхностей слитка польши водоохлаждаемыми соединительными элементами, которые в процессе плавки располагаются в шлаковой ванне. Соединительные элементы электрически изолированы от кристаллизатора и снабжены токоподводами, по которым подается ток. За счет этого осуществляется нагрев шлаковой ванны. Расходуемый электрод подается в шлаковую ванну и плавится выше уровня соединительных элементов. Расплавленный металл собирается в формирующей части кристаллизатора ниже соединительных элементов, образуя стенку полого слитка. На фиг. 1 изображен предлагаемый кристаллизатор, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А фиг. 2. Кристаллизатор состоит из стойки 1, на которой жестко закреплена секция 2 для формирования наружной поверхности слитка. Секция 3 для формирования внутренней поверхности крепится к наружной сексекции с помощью гаек 4 полыми элементами 5 крепления. Элементы крепления расположены над формирующей частью кристаллизатора в его ущиренной части, где располагается шлаковая ванна. Цоэтому эти элементы охлаледаются водой. Кроме того, элементы крепления выполняют функцию нерасходуемых электродов. С этой целью они снабжены токоподводящими пластинами 6 и изолированы от корпуса кристал