Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов Советский патент 1974 года по МПК H01L21/66 G01R31/26 

1

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения.

Известен способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов, который заключается в том, что р-п-переход электрически прогревают одинаковой для всех приборов мощностью до достижения стационарного режима, затем регистрируют интенсивность инфракрасного излучения с поверхности кристалла полупроводникового прибора, преобразовывают инфракрасное излучение в электрический сигнал и сравнивают его с допустимым значением для бездефектного образца.

Однако необходимым условием измерений по предлагаемому способу является открытая поверхность кристалла, что достигается контролем приборов в негерметизированном или разрушенном состоянии и, кроме того, способ трудоемок и малопроизводителен.

Для осуществления неразрушающего контроля при одновременном повышении производительности по предлагаемому способу изменяют скорость изменения во времени какоголибо температурно-чувствительного параметра, например прямого падения напряжения, причем импульсы тока устанавливают с длительностью большей, чем постоянная времени кристалла, но меньшей, чем постоянная времени прибора.

Описываемый способ основан на эффекте взаимодействия раснространяющейся от р-пперехода по прибору тепловой волны с дефектом в области соединения конструктивных элементов прибора (например, в месте пайки или сварки).

Сущность способа заключается в следующем. При прохождении импульса тока через

р-п-переход, тепловая мощность, выделившаяся в р - /г-переходе, начинает распространяться в виде тепловой волны от кристал.1а к периферийным участкам прибора. Дойдя до участка прибора, в котором имеется дефексоединения (некачественная сварка или пайка), тепловая волна частично отражается от места дефекта (коэффициент отражения зависит от степени дефектности), что, в свою очередь, вызывает дополнительный прогрев

кристалла и повышение его температуры.

Если длительность импульса подогрева вы; брана больщей, чем время распространения волны до возможного дефекта, то при нестационарном (неустановившемся) процессе прогрев кристалла у образца с дефектом значительно отличается от прогрева кристалла у бездефектного образца. В связи с этим скорость изменения измеряемого температурночувствительного параметра у дефектного образца больше, чем у бездеф|ектного образца.