Изобретение относится к области приборостроения и радиотехники и может быть использовано при необходимости |получения тонких пленок с требуемой ориентацией оси текстуры. Для осуществления преобразован ия высоких частот в более низкие, при котором оказывается возможным .в твердом теле возбудить акустически колебания, используют пьезопреобразователь из тонких пленок, в том числе и из окиси цинка. Пленки из этого материа/Га имеют текстуру, ось которой практически не сориентирована. Это вызывает сни жение достоверности в преобразовыва мом, сигнале, а также приводит к ма лой эффективности самого процесса преобразования. Для осуществления возможности получения требуемой ориентации оси текстуры и повьшения эффективности преобразования сигнала по предлагае мому способу первоначально из порош ка окиси цинка формуют цилиндрический стержень, который далее обжигаю во внешней среде при температуре, не превьппающей 1000®С, после чего era помещают в вакуумную камеру и обрабатывают электронным пучком током 100-120 мА, полученным при уско ряющем напряжении 400-500 В, до тем пературы возгонки окиси цинка, при этом скорость нанесения пленки а основу выбирают в пределах 1-5 А/с На чертеже показана схема реализующая предлагаемый способ. При осуществлении нанесения на электрически нейтральную основу 1 слоя 2 окиси цинка стержень 3 цили рической формы, сформованный из по рошка окиси цинка, устанавливают на вольфрамовой подложке 4, закрепляемой на плите 5. Плиту помещают в вакуумную камеру 6. Сформованный . стержень в момент работы всей устандвкй является анодом. Вокруг его части расположен катод 7, Мпрлненный, например, в виде кольца из вольфрама. Катод и анод в вакуумной камере окружены фокусирующим водоохлаждающим экраном 8. Предварительно перед помещением сформованного стержня 3 в вакуумную камеру его обжигают во внешней среде, т.е. на открытом воздухе при температуре, -не превьшающей 1000°С. При помещении стержня из окисицинка в вакуумную камеру запускают электронную установку, и электронньй луч начинает бомбардировать торцовую поверхность 9 стержня, нагревая тем самым лишь верхний его слой. При этом нагрев производится до температуры, при которой получается возгонка окиси цинка. Расстояние между стержнем - анодом и катодом выбирают в пределах 2-3 мм, вследствие чего оказывается возможным осуществление нагрева при ускоряющем напряжении всего в 400500 В при токе пучка в 100-200 мА. Т.е. при реализации предлагаемого способа отпадает необходимость в создании новых специальных установок, что не только упрощает сам процесс реализации, но и делает его экономически эффективным. Последнее следует, также и из того, что скорость нанесения пленки составляет 1-5 А/с. Располагая под выбранным углом основу, мвжио получить требуемую ориентацию оси текстуры пленки.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК В ПЛАЗМЕ | 1992 |
|
RU2039846C1 |
Способ вакуумного ионно-плазменного осаждения тонкой пленки твердого электролита | 2021 |
|
RU2765563C1 |
Катодный узел | 1980 |
|
SU910843A1 |
Способ нанесения пьезоэлектрических пленок окиси | 1986 |
|
SU1394742A1 |
Способ получения пьезоэлектрических пленок на основе окиси цинка | 1981 |
|
SU1049573A1 |
Способ вакуумно-плазменного осаждения тонкой пленки из оксинитрида фосфора лития | 2022 |
|
RU2793941C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОК | 2002 |
|
RU2204179C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ | 2006 |
|
RU2410341C2 |
ПЛАНАРНЫЙ МАГНЕТРОН С РОТАЦИОННЫМ ЦЕНТРАЛЬНЫМ АНОДОМ | 2022 |
|
RU2792977C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОК И МОНОКРИСТАЛЛОВ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1991 |
|
RU2012104C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНР1Я ТОНКИХ ПЛЕНОК ДЛЯ ПЬЕЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, например, из порошка окиси цинка, основанный на нанесении пленки с текстурой на нейтральную основу с помощью электронного пучка, отличающийся тем, что, с цельюгосуществления возможнЬсти получения требуемой ориентации оси текстуры, первоначально из порошка окиси цинка формуют цилиндрический стержень, который далее обжигают во внешней среде при температуре, не превышающей 1000°С, после чего его помещают в вакуумную камеру и обрабатьгоаю.т; электронным пучком током 100-120 мА, •полученным при ускоряющем напряжении 400-500 В, до температуры возгонки окиси, цинка, при этом скорость нанесения пленки на основу выбирают в пределах 1-5 А/с.4:^
Авторы
Даты
1984-04-23—Публикация
1973-04-28—Подача