Способ нанесения пьезоэлектрических пленок окиси Советский патент 1992 года по МПК C23C14/36 

Описание патента на изобретение SU1394742A1

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме, а именно к способам получения пьезоэлектрических пленок окиси цинка с наклоном оси их текстуры в диапазоне 40±10°, и может быть использовано для изготовления преобразователей сдвиговых объемных акустических волн.

Целью изобретения является повышение качества пленок за счет получения наклонной ориентации оси их текстуры и увеличения однородности этой текстуры по поверхности подложки.

П р и м е р 1. Пленку окиси цинка наносят на подложку из термостального стекла. Для этого цинковую пластину диаметром 100 мм и толщиной В мм устанавливают на катоде магнетронного распылительного устройства. Внутри катода вмонтирована аксиально-симметричная магнитная система, состоящая из центрального и краевого магнитов. Величины напряженности магнитных полей, создаваемых этими магнитами, выбирают таким образом, чтобы значения векторов напряженностей магнитного поля, перпендикулярных поверхности мишени, на ее краях и в центре были равны соответственно 400 и 200 Э, т.е. были в соотношении, равном 2, Подложку устанавливают напротив зоны эрозии, т.е. между векторами магнитного поля, параллельно мишени на расстоянии 40 мм от нее. Рабочий объем вакуумной установки откачивают до предельного давления 2 10 Па, подложку нагревают до 300°С, напускают в камеру газовую смесь: 30% аргонаи70% кислорода

СА) Ю

Ч

ю

и поддерживают давление на уровне 0,2 Па. После этого на мишень подают отрицательное напряжение 450 В и устанавливают ток 1 А. При этом над поверхностью мишени образуется зона скрещенных электрического и магнитного полей, которые локализуют разрядную плазму е этой зоне. В указанных условиях скорость осаждения пленки окиси цинка составляет б мкм/ч. Полученная пленка обладает следующими свойствами: удельноесопротивление/э 10 Ом -см,угол наклона оси текстуры m 40°, угол разори- ентации оси текстуры ±5 , разброс по толщине ±5% на площади 10 см.

П р и м е р 2. Процесс нанесения пленки осуидествляют аналогично примеру 1 при значениях векторов напряженностей маг- нитмого поля, перпендикулярных поверхно- .сти мишени, в центре и на краях мишени 200 и 600 Э соответственно, т.е. в соотношении, равном 3. Полученная пленка обладает следующими свойствами: удельное сопротив- лениер 10 Ом см, угол наклона m 45°, угол разориентации оси текстуры ± 7°, разброс по толщине ±5% на площади 10 см .

При изучении распределения структурных параметров пленок окиси цинка было установлено, что наклон оси текстуры пленок, осажденных напротив зоны эрозии, зависит от конфигурации магнитного поля магнетронного распылительного устройства. При соотношении векторов напряженно0

5

0

сти магнитного поля, направленных перпендикулярно поверхности мишени, и на крэюмишении в ее центре в диапазоне...3 наклон оси текстуры в осажденной пленке составляет 30-50° относительно нормали к поверхности подложки. При увеличении отношения более 3 угол наклона оси текстуры возрастает, но вместе с тем падает эффективность магнетронного разряда, а следова- тельно, и скорость напыления из-за уменьшения тангенциальной составляющей напряженности магнитного поля в зоне эрозии. При уменьшении отношения менее 1 угол наклона оси текстуры становится недостаточным для использования, полученных пленок в преобразователях сдвиговых акустических волн.

Формула изобретения Способ нанесения пьезоэлектрических пленок окиси цинка в вакууме, включающий магнетронное распыление цинковой дисковой мишени в аргонокислородной газовой среде и постоянном магнитном поле, симметричном относительно центра мишени, и осаждение пленки на подложку, отличаю- щ и и с я тем, что, с целью повышения качества пленок за счет получения наклон- но;л ориентации оси их текстуры по поверхности подложки, значения векторов напря- 0 женности магнитного поля на краях и в центре мишени, направленных перпендикулярно ее поверхности, устанавливают в соотношении 1...3, а при осаждении пленки подложку располагают между векторами.

Похожие патенты SU1394742A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК В ПЛАЗМЕ 1992
  • Колосов В.В.
  • Наянов В.И.
RU2039846C1
Способ получения пьезоэлектрических пленок на основе окиси цинка 1981
  • Котелянский Иосиф Моисеевич
SU1049573A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИЙ 2009
  • Сочугов Николай Семенович
  • Захаров Александр Николаевич
  • Соловьев Андрей Александрович
  • Работкин Сергей Викторович
RU2451768C2
Способ получения пленки нитрида пермаллоя FeNiN 2022
  • Шаповалов Виктор Иванович
RU2784453C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА 2006
  • Захаров Александр Николаевич
  • Подковыров Виктор Георгиевич
  • Работкин Сергей Викторович
  • Сочугов Николай Семенович
RU2316613C1
Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария 2022
  • Буташин Андрей Викторович
  • Муслимов Арсен Эмирбегович
  • Каневский Владимир Михайлович
  • Гаджиев Махач Хайрудинович
  • Тюфтяев Александр Семенович
RU2786771C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОК В ПЛАЗМЕ 1992
  • Колосов В.В.
  • Наянов В.И.
RU2019576C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ КАЛЬЦИЙ-ФОСФАТНОГО ПОКРЫТИЯ 2008
  • Иевлев Валентин Михайлович
  • Белоногов Евгений Константинович
  • Костюченко Александр Викторович
RU2372101C1
Распылительный блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов FeTiO в диапазоне 0<x<0,6 2017
  • Шаповалов Виктор Иванович
  • Смирнов Владислав Юрьевич
  • Минжулина Екатерина Андреевна
  • Козин Александр Андреевич
RU2664009C1
Способ получения на подложке тонких пленок ниобата лития 2021
  • Дыбов Владислав Анатольевич
  • Сериков Дмитрий Владимирович
  • Костюченко Александр Викторович
  • Сумец Максим Петрович
  • Белоногов Евгений Константинович
  • Иевлев Валентин Михайлович
RU2762756C1

Реферат патента 1992 года Способ нанесения пьезоэлектрических пленок окиси

Изобретение может быть использовано для изготовления преобразователей сдвиговых объемных акустических волн. Цель изобретения - повышение качества пленок за счет получения наклонной ориентации оси их текстуры в диапазоне 40±10&deg; и увеличения однородности этой текстуры по поверхности подложки. Для получения пленки окиси цинка в магнетронном разряде распыляют цинковую дисковую мишень в арго- но-кислородной газовой среде. Внутри катода магнетронной системы вмонтирована магнитная система. Величины напряженности магнитных полей выбирают таким образом, чтобы значения векторов напря- женностей магнитных полей, перпендикулярных поверхности мишени, на ее краях и в центре были равны соответственно 400 и 200 Э, т.е. были в соотношении, равном 2. Допустимым соотношением может быть 1 ...3. Подложку устанавливают напротив зоны эрозии, т.е. между векторами магнитного поля, параллельно мишени на расстоянии 40 мм от нее. Температура подложки поддерживается 300&deg;С, а газовая смесь включает 30% аргона и 70% кислорода при давлении на уровне 0,2 Па. сл с

Формула изобретения SU 1 394 742 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1992 года SU1394742A1

Способ получения тонких пленок для пьезопреобразователей 1973
  • Чернец А.Н.
  • Кенигсберг Н.Л.
SU464081A1
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб 1921
  • Игнатенко Ф.Я.
  • Смирнов Е.П.
SU23A1
Вентиляционная перемычка для выработок,оборудованных конвейерами 1980
  • Мясников Анатолий Афанасьевич
  • Когон Владимир Рувимович
  • Стекольщиков Геннадий Гаврилович
  • Кангисер Эрнест Иосифович
  • Чернов Рюрик Игнатьевич
  • Мащенко Иван Давыдович
  • Сосновский Юрий Соломонович
SU1049673A1
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб 1921
  • Игнатенко Ф.Я.
  • Смирнов Е.П.
SU23A1

SU 1 394 742 A1

Авторы

Котелянский И.М.

Крикунов А.И.

Лузанов В.А.

Веселов А.Г.

Джумалиев А.С.

Даты

1992-12-07Публикация

1986-09-11Подача