чтобы перенести изображение эмульсионной маски на фоторезист. Последвий проявляют в 2%-ном растворе тринатрийфосфата в течение 20 с при комнатной температуре. Участки фоторезиста, подверженные облучению, при проявлении удаляются. Фоторезист нромывают водой и сушат ступенчато - сначала при 90°С в течение 15 мин, затем при 110°С в течение мин. Подложку с изображением фотошаблона из фоторезиста помеш.ают в катодную установку на водоохлаждаемый высокочастотный электрод. Из-под колпака установки удаляют воздух и напускают инертный газ, например аргон, до давления 1-10 мм рт. ст. Затем подают напряжение на электроды катод - анод и зажигают разряд. При появлении разряда в систему напускают водород до давления 6- 8-10- мм рт. ст. При этом интенсивность газового разряда уменьшается. Это уменьшение компенсируется путем увеличения напряжения на электродах катод-анод. Соотношение между парциальными давлениями водорода и аргона при данном напряжении на электродах газового разряда зависит от конструкции установки. С момента подачи высокочастотного поля тяжелые ионы аргона, проводя бомбардировку подложки, возбуждают, поверхностный слой, который вступает во взаимодействие с водородом. Водород проникает в незащиш;енные фоторезистом слои стекла и восстанавливает в нем ионы меди. Поверхностный слой, не защищенный фоторезистом, окрашивается в красный цвет и становится непрозрачным для ультрафиолетового излучения и прозрачным для длин волн видимого диапазона. Толщину окрашенного слоя определяют глубиной проникновения ионов меди при обработке стекла в расплаве. После того, как все ионы меди восстановились водородом, процесс обработки поверхности плазмой заканчивается. Фотошаблон вынимают из установки, а защищенный слой фоторезиста удаляют путем растворения его в ацетоне. Готовый фотошаблон промывают в потоке дистиллированной воды и высушивают сжатым воздухом. Четкость границы изображения, а также разрешающая способность определяются краем защитного слоя фоторезиста и нормальным направлением воздействия ионов, составляющих плазму газового разряда в высокочастотном поле, а также отсутствием геометрического рельефа на поверхности стекла. Повышенная износоустойчивость достигается тем, что маскирующий окрашенный слой находится ниже поверхности стекла и имеет значительную толщину, доходящую до 1 мкм. По описанному способу фотошаблоны получают негативными относительно фотошаблона оригинала, т. е. прозрачным участкам фотошаблона оригинала соответствуют непрозрачные участки цветного фотошаблона. Формула изобретения 1. Способ изготовления цветных фотошаблонов, включающий формирование на стеклянной подложке рисунка из фоторезиста, проведение диффузии в подложку ионов металла с переменной валентностью и окрашивание восстановлением ионов металла с переменной валентностью, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных фотошаблонов и повышения производительности труда, вначале проводят диффузию в подложку ионов металла с переменной валентностью из расплава его соли, затем из фоторезиста, устойчивого к действию восстановителя, формируют рисунок фотошаблона, после чего производят окрашивание восстановлением. 2. Способ по п. 1, отличаюшийся тем, что окрашивание восстановлением производят в области высокочастотного разряда в смеси водорода и инертного газа.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления цветных фотошаблонов | 1972 |
|
SU441002A1 |
Способ изготовления фотошаблонов | 1980 |
|
SU868891A1 |
СВЧ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2004 |
|
RU2287875C2 |
Способ получения рисунка фотошаблона | 1985 |
|
SU1308111A1 |
Свободная маска для напыления пленочных элементов и способ ее изготовления | 1982 |
|
SU1019017A1 |
Способ изготовления фотошаблона на галогенсеребряной фотопластине | 1985 |
|
SU1325396A1 |
ФОТОШАБЛОН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1981 |
|
SU1026564A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 2010 |
|
RU2437186C1 |
СПОСОБ ДЕФЕКТОСКОПИИ ПОВЕРХНОСТЕЙ | 1992 |
|
RU2069353C1 |
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЛАТУНИ МАРКИ Л63 НА СТЕКЛЯННЫЕ ИЗДЕЛИЯ | 2021 |
|
RU2765965C1 |
Авторы
Даты
1976-08-05—Публикация
1972-06-16—Подача