Способ изготовления цветных фотошаблонов Советский патент 1976 года по МПК H05K3/06 C03C21/00 H01L21/84 

Описание патента на изобретение SU484816A1

чтобы перенести изображение эмульсионной маски на фоторезист. Последвий проявляют в 2%-ном растворе тринатрийфосфата в течение 20 с при комнатной температуре. Участки фоторезиста, подверженные облучению, при проявлении удаляются. Фоторезист нромывают водой и сушат ступенчато - сначала при 90°С в течение 15 мин, затем при 110°С в течение мин. Подложку с изображением фотошаблона из фоторезиста помеш.ают в катодную установку на водоохлаждаемый высокочастотный электрод. Из-под колпака установки удаляют воздух и напускают инертный газ, например аргон, до давления 1-10 мм рт. ст. Затем подают напряжение на электроды катод - анод и зажигают разряд. При появлении разряда в систему напускают водород до давления 6- 8-10- мм рт. ст. При этом интенсивность газового разряда уменьшается. Это уменьшение компенсируется путем увеличения напряжения на электродах катод-анод. Соотношение между парциальными давлениями водорода и аргона при данном напряжении на электродах газового разряда зависит от конструкции установки. С момента подачи высокочастотного поля тяжелые ионы аргона, проводя бомбардировку подложки, возбуждают, поверхностный слой, который вступает во взаимодействие с водородом. Водород проникает в незащиш;енные фоторезистом слои стекла и восстанавливает в нем ионы меди. Поверхностный слой, не защищенный фоторезистом, окрашивается в красный цвет и становится непрозрачным для ультрафиолетового излучения и прозрачным для длин волн видимого диапазона. Толщину окрашенного слоя определяют глубиной проникновения ионов меди при обработке стекла в расплаве. После того, как все ионы меди восстановились водородом, процесс обработки поверхности плазмой заканчивается. Фотошаблон вынимают из установки, а защищенный слой фоторезиста удаляют путем растворения его в ацетоне. Готовый фотошаблон промывают в потоке дистиллированной воды и высушивают сжатым воздухом. Четкость границы изображения, а также разрешающая способность определяются краем защитного слоя фоторезиста и нормальным направлением воздействия ионов, составляющих плазму газового разряда в высокочастотном поле, а также отсутствием геометрического рельефа на поверхности стекла. Повышенная износоустойчивость достигается тем, что маскирующий окрашенный слой находится ниже поверхности стекла и имеет значительную толщину, доходящую до 1 мкм. По описанному способу фотошаблоны получают негативными относительно фотошаблона оригинала, т. е. прозрачным участкам фотошаблона оригинала соответствуют непрозрачные участки цветного фотошаблона. Формула изобретения 1. Способ изготовления цветных фотошаблонов, включающий формирование на стеклянной подложке рисунка из фоторезиста, проведение диффузии в подложку ионов металла с переменной валентностью и окрашивание восстановлением ионов металла с переменной валентностью, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных фотошаблонов и повышения производительности труда, вначале проводят диффузию в подложку ионов металла с переменной валентностью из расплава его соли, затем из фоторезиста, устойчивого к действию восстановителя, формируют рисунок фотошаблона, после чего производят окрашивание восстановлением. 2. Способ по п. 1, отличаюшийся тем, что окрашивание восстановлением производят в области высокочастотного разряда в смеси водорода и инертного газа.

Похожие патенты SU484816A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления цветных фотошаблонов 1972
  • Боков Ю.С.
  • Горон А.Г.
  • Гуржеев В.Н.
  • Захаров В.И.
  • Корсаков В.С.
  • Лаврищев В.П.
  • Гликман М.Л.
  • Семенов Н.Н.
  • Матвиенко В.Я.
SU441002A1
Способ изготовления фотошаблонов 1980
  • Гетманов Юрий Анатольевич
  • Сучкова Татьяна Николаевна
  • Сулюкин Виктор Федорович
  • Фартукова Ольга Егоровна
SU868891A1
СВЧ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2004
  • Берлин Евгений Владимирович
  • Сейдман Лев Александрович
RU2287875C2
Способ получения рисунка фотошаблона 1985
  • Берлин Е.В.
  • Красножон А.И.
SU1308111A1
Свободная маска для напыления пленочных элементов и способ ее изготовления 1982
  • Мягконосов Павел Павлович
  • Беккер Яков Михайлович
  • Кузнецов Владимир Николаевич
  • Лященко Анатолий Михайлович
  • Смирнова Надежда Федоровна
SU1019017A1
Способ изготовления фотошаблона на галогенсеребряной фотопластине 1985
  • Ганиев Джеймарс Хаматханович
  • Бызов Александр Данилович
  • Лабзин Сергей Михайлович
  • Шваб Юрий Александрович
  • Чекалин Сергей Михайлович
SU1325396A1
ФОТОШАБЛОН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1981
  • Коломиец Б.Т.
  • Любин В.М.
  • Шило В.П.
  • Лантратова С.С.
  • Зубрицкий В.П.
  • Котлецов Б.Н.
  • Коган М.З.
  • Довжик А.С.
SU1026564A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 2010
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Солдатенков Федор Юрьевич
  • Сорокина Светлана Валерьевна
  • Хвостиков Владимир Петрович
RU2437186C1
СПОСОБ ДЕФЕКТОСКОПИИ ПОВЕРХНОСТЕЙ 1992
  • Сапрыкина Н.Н.
  • Сыромятникова Т.А.
RU2069353C1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЛАТУНИ МАРКИ Л63 НА СТЕКЛЯННЫЕ ИЗДЕЛИЯ 2021
  • Старцев Дмитрий Юрьевич
RU2765965C1

Реферат патента 1976 года Способ изготовления цветных фотошаблонов

Формула изобретения SU 484 816 A1

SU 484 816 A1

Авторы

Боков Ю.С.

Гаденко Р.Ф.

Гуржеев В.Н.

Захаров В.И.

Иванов Р.Д.

Кандыба П.Е.

Колесников Д.П.

Корсаков В.С.

Лаврищев В.П.

Даты

1976-08-05Публикация

1972-06-16Подача